Recent #NAND news in the semiconductor industry
03/26/2025, 06:23 AM UTC
2025年前端晶圆厂设备支出预计增长2%，达到1100亿美元2% 2025 growth forecast for front-end fab equipment
➀ SEMI宣布，2025年前端晶圆厂设备支出预计同比增长2%，达到1100亿美元；
➁ 这种增长由高性能计算和内存领域的需求以及人工智能的日益集成驱动；
➂ 逻辑与微处理领域预计将成为增长的关键驱动力，2025年投资将达到520亿美元，2026年将达到590亿美元。
03/18/2025, 03:00 PM UTC
三星9100 Pro SSD评测：高性能与功耗的平衡Samsung 9100 Pro SSD Review: Samsung’s Capable Answer to Phison’s Storage Gauntlet
➀ 三星9100 Pro是三星针对高端PCIe 5.0存储市场的回应，提供了良好的性能和功耗。
➁ 该驱动器最高提供8TB容量，并使用三星的236层V8 TLC闪存。
➂ 虽然不是市场上最快的，但9100 Pro为寻求高端存储的用户提供了稳定且精致的选择。
03/17/2025, 12:01 AM UTC
Longsys 在 MWC25 上亮相，展示移动通信存储创新的力量Sponsored Content: Longsys Debuts at MWC25, Unleashing the Power of Storage Innovation in Mobile Communications
➀ 慧荣科技（Longsys），一家知名半导体存储企业，在 MWC 2025 上展示了一系列创新存储产品。
➁ 产品技术制造（PTM）模型展示了慧荣科技的全栈定制能力。
➂ 慧荣科技展示了面向移动设备的嵌入式存储解决方案和面向 AI 计算的服务器存储。
03/05/2025, 06:12 AM UTC
TrendForce：第四季度NAND收入下降6.2%Q4 NAND revenues down 6.2%
➀ TrendForce报告第四季度NAND收入下降6.2%，平均售价环比下降4%；
➁ 三星由于消费电子产品需求疲软，收入环比下降9.7%；
➂ 由于企业固态硬盘出货量，铠侠的第四季度收入环比仅下降0.2%；
➃ 尽管企业固态硬盘出货量强劲，美光第四季度NAND闪存收入环比下降9.3%。
03/01/2025, 01:57 AM UTC
NAND，也要迎来HBM时刻？NAND: Embracing the HBM Moment?
➀ 纳AND制造商在AI热潮中常被忽视，尽管他们在存储中扮演着角色。
➁ AI计算对DRAM（特别是HBM）的需求远大于NAND，NAND主要用于二级存储。
➂ NAND市场经历了起伏，AI服务器推动企业级SSD需求激增，而消费需求下降。
➃ SanDisk的HBF技术为NAND提供了潜在的新方向，为AI推理应用提供高带宽和容量。
➄ NAND制造商正在探索其他途径，如增加存储密度和优化产能，以适应AI市场。
02/22/2025, 05:30 AM UTC
存储市场，又变天了？The Storage Market: Another Winter Approaching?
➀ 自2021年第三季度以来，包括NAND和DRAM在内的存储市场受到了严重冲击，DRAM价格下跌了57%，NAND价格下跌了55%；
➁ 由于AI的兴起和AI芯片对HBM的需求，市场在2023年下半年开始复苏；
➂ 然而，温暖的季节并没有持续太久，到2025年初，存储市场似乎又迎来了另一个冬天；p>
➃ 预计2025年上半年NAND价格仍将低迷，但由于AI服务器需求的持续增长，预计SSD的位出货量将在下半年增加；
➄ DRAM价格预计将在2025年第一季度明显下降，主要由于消费者需求疲软和DDR4内存模块供应过剩；
➅ 预计DRAM行业未来将转向DDR5和HBM，因为这些技术在数据中心和AI应用中变得越来越重要。
02/20/2025, 07:53 AM UTC
YEST与日本Kioxia洽谈供应HPA套件YEST in talks with Japan’s Kioxia to supply HPA kits
YEST与日本NAND芯片巨头Kioxia洽谈，旨在为其供应高压退火（HPA）设备。公司发言人表示，此次洽谈目的是为Kioxia的生产线扩张提供HPA设备。YEST的设备每动作可处理125片晶圆，而竞争对手的设备只能处理75片。
02/18/2025, 06:16 AM UTC
NAND市场第一季度仍供过于求，预计第二季度供需接近平衡NAND still over-supplied
➀ 第一季度NAND市场供过于求，导致供应商持续面临价格下跌和财务压力。
➁ 预计第二季度供需将更加接近平衡，这得益于制造商的生产削减、智能手机领域的库存减少以及由AI和DeepSeek应用驱动的需求增长。
➂ 中国实施的以旧换新补贴政策刺激了智能手机销售，并加速了NAND闪存的库存消耗。
02/07/2025, 10:20 AM UTC
最新新闻Most Read – Glasgow diamond, Retirement Crisis, Intel reality
➀ 格拉斯哥大学研究人员开发了默认关闭的钻石晶体管；
➁ 长江存储技术公司推出了拥有294层TLC NAND；
➂ 经济合作与发展组织（OECD）报告了许多国家面临的退休危机；
➃ 比德堡公司推出用于铁路和其他交通应用的Cat6A数据电缆，带有M12圆形连接器；
➄ 英特尔采用“实事求是”的方法调整其产品路线图，推迟了18A处理器的推出。
02/07/2025, 06:27 AM UTC
芯片市场突破6260亿美元Chip market hits $626bn
➀ 2024年全球半导体收入达到6260亿美元，预计2025年将增至7050亿美元；
➁ 2024年，数据中心应用的GPU和AI处理器是芯片行业的主要驱动因素；
➂ 内存和AI半导体将推动近期的增长，预计到2025年，HBM收入将达到198亿美元。
02/04/2025, 06:22 AM UTC
长江存储推出294层NAND闪存（但其中62层是假层）Yangtse shipping 294-layer NAND (but 62 are dummies)
➀ 长江存储技术公司（YMTC）正在出货一款具有294层结构的TLC NAND闪存，其中232层是活跃的；
➁ 新设备与公司上一代NAND闪存的活跃层数量相同；
➂ 增加假层的具体原因尚不明确。
01/31/2025, 09:59 AM UTC
最新新闻Most Read – DeepSeek AI, e-SIM IC, Georg Steinberger
➀ 中国的DeepSeek AI项目开发者引起AI界的惊讶；
➁ 四大NAND厂商因竞争加剧、需求疲软和供过于求而被迫削减产量；
➂ 欧洲分销组织FBDi主席Georg Steinberger因心脏骤停突然去世；
➃ Infineon推出世界上最小的符合GSMA标准的e-SIM芯片，尺寸为1.8 x 1.6 x 0.4mm；
➄ 麦吉尔大学、Iridian Spectral Technologies和拜罗伊特大学的研究人员开发了提高基于石墨烯结构中的太赫兹非线性度的方法。
01/27/2025, 06:14 AM UTC
四大NAND厂商被迫削减生产Big Four NAND players forced to cut production
➀ 来自中国的激烈竞争、需求疲软和供应过剩迫使三星、海力士、铠侠和美光等传统NAND制造商削减生产，这可能在长期内推动行业整合。
➁ 根据TrendForce的数据，这些公司通过降低利用率和推迟工艺升级来实施生产削减。
➂ 自2024年第三季度以来，价格一直在下降，而2025年上半年的需求似乎疲弱，中国生产商正积极扩大生产。
01/15/2025, 08:05 AM UTC
SK海力士计划在上半年减产NAND芯片10%SK Hynix to reduce NAND production by 10% within 1st half of year
➀ SK海力士计划在上半年将NAND芯片产量减少10%；➁ 公司每月的NAND晶圆总产能为30万片；➂ 由于供过于求，NAND价格已经连续四个月下跌。01/05/2025, 03:44 AM UTC
三星·SK，应对NAND衰退，通过成本削减和设备改造应对‘V9’Samsung and SK Electronics Respond to NAND Downturn with Cost Reduction and Equipment Retrofitting
➀ 三星电子和SK海力士正在应对NAND市场衰退，实施‘成本削减’投资策略。
➁ 他们正在减少旧款NAND的生产，同时改造旧设备以适应更新型的设备。
➂ 这种方法旨在利用闲置产能进行第8代和第9代NAND的生产。
12/23/2024, 06:00 PM UTC
消费者内存增长不及AI，Micron业绩预警引发股价下跌Consumer memory slowing more than AI gaining
➀ Micron公布符合预期的收入和每股收益，但提供疲软的业绩指引；➁ 驱动AI的内存需求激增，而消费者内存面临挑战；➂ 市场对Micron股价的担忧，由于AI和消费者内存增长之间的不平衡。12/10/2024, 05:11 AM UTC
三星完成下一代400层NAND技术开发，2025年初推出1TB 400层TLC NANDSamsung finishes development on next-gen 400-layer NAND, 1Tb 400-layer TLC NAND in early 2025
➀ 三星电子成功开发出400层NAND技术，超越了SK海力士的321层NAND；➁ 400层NAND将在2025年下半年开始量产；➂ 三星计划在2025年2月的ISSCC 2025会议上详细介绍其新的1TB 400层TLC NAND。11/22/2024, 07:37 AM UTC
SK海力士开启321层NAND闪存芯片生产SK Hynix begins 321-layer NAND production
➀ SK海力士已开始生产其321层NAND闪存芯片；➁ 该芯片在行业中具有最多的层数；➁ 该产品于去年8月的Flash Summit 2023上首次亮相。11/09/2024, 10:19 AM UTC
三星计划将过时NAND设备出售给中国本地公司 | TrendForce 新闻[News] Samsung Reportedly Mulls to Offload Outdated NAND Equipment in China to Local Companies | TrendForce News
➀ 据报道，三星正在减少其晶圆厂和传统DRAM的生产；➁ 这家韩国半导体巨头据说正在考虑将过时的NAND设备出售给中国；➂ 据称，本地中国公司是潜在买家。10/29/2024, 02:39 AM UTC
三星计划2026年实现400层垂直NAND，2030年目标1000层NAND[News] Samsung Reportedly Plans 400-layer Vertical NAND by 2026, Targeting 1,000-layer NAND by 2030
➀ 据报道，三星计划到2026年推出400层垂直NAND；➁ 该公司旨在2030年实现1000层NAND的目标；➂ 这是内存市场竞争的一部分，尤其是在HBM成为AI时代关键战场的情况下。10/01/2024, 05:27 PM UTC
9月DRAM和NAND价格下跌超过10%DRAM and NAND prices drop by over 10% in September
➀ 9月份DRAM和NAND的合约价格下跌超过10%；➁ 下跌原因是PC和消费电子产品需求低迷；➂ DDR4 8Gb 1Gx8的价格下跌了17.07%，至1.7美元。08/12/2024, 02:00 PM UTC
铠侠在FMS 2024上详述BiCS 8 NAND：216层与卓越的缩放技术Kioxia Details BiCS 8 NAND at FMS 2024: 216 Layers With Superior Scaling
➀ 铠侠在FMS 2024上展示了其BiCS 8 3D NAND技术，具有218层和新的CMOS Bonded Array（CBA）工艺。➁ CBA工艺允许CMOS晶圆和单元阵列晶圆的独立并行处理，提高了可靠性和性能。➂ 尽管层数少于竞争对手，铠侠的横向缩放技术使其在比特密度和操作速度上保持竞争力。07/31/2024, 03:15 PM UTC
美光开始出货更高密度和速度的276层TLC NAND，首款搭载产品为美光2650客户端SSDMicron Ships Denser & Faster 276 Layer TLC NAND, Arriving First In Micron 2650 Client SSDs
1、美光已开始出货其第9代276层TLC NAND，该产品在密度和性能上均有显著提升。2、新一代NAND相较于前代产品，密度提高了44%，并支持高达3600 MT/秒的传输速率。3、美光的2650客户端SSD是首款采用这种新NAND技术的产品，为多种应用提供高速存储解决方案。07/05/2024, 01:00 PM UTC
铠侠高性能3D QLC NAND助力高端大容量SSDKioxia's High-Performance 3D QLC NAND Enables High-End High-Capacity SSDs
1、铠侠推出1 Tb和2 Tb的3D QLC NAND设备，接口速度达到3600 MT/s。2、这些新设备具有238个活动层和CMOS直接键合到阵列（CBA）设计。3、铠侠的2 Tb 3D QLC NAND提供70%的写入功率效率提升，适用于AI和大容量存储应用。07/03/2024, 12:47 PM UTC
Kioxia推出最高容量2TB的NAND芯片样品Kioxia sampling highest capacity NAND chip at 2 terabits
1、Kioxia正在推出2TB的NAND芯片样品，采用QLC设计和BiCS 8 218层架构。2、与前几代相比，新芯片提供了更高的比特密度和能效。3、Pure Storage计划使用这些芯片来增强其全闪存存储解决方案。05/03/2024, 07:17 AM UTC
SK Hynix testing Tokyo Electron’s cryo etching equipment
08/10/2023, 02:45 PM UTC
SK Hynix unveils 321-layer NAND
