Recent #Samsung news in the semiconductor industry
03/30/2025, 03:00 PM UTC
2024年半导体资本支出下降,2025年上升Semiconductor CapEx Down in 2024 up in 2025
➀ 预计2024年半导体资本支出(CapEx)将下降至1550亿美元,然后在2025年增加至1600亿美元。
➁ 台积电计划在2025年大幅增加CapEx,预计在380亿至420亿美元之间,而美光科技预计为140亿美元。
➂ CHIPS法案已拨款320亿美元用于赠款和60亿美元用于贷款,以支持美国半导体制造。
03/03/2025, 02:00 PM UTC
驱动半导体革命:工程化基板技术与材料创新的力量Powering the Future: How Engineered Substrates and Material Innovation Drive the Semiconductor Revolution
➀ 工程化基板技术正在推动半导体行业从传统的平面扩展到创新材料和3D集成。
➁ 慧荣科技、英特尔和三星等公司正在引领这项技术的采用。
➂ 代工厂越来越认识到全耗尽硅氧化物绝缘体(FD-SOI)等工程化基板在成本和性能方面的战略重要性。
02/28/2025, 03:09 AM UTC
三星将于4月16日发布超薄Galaxy S25 Edge,首批仅40,000台Samsung rumored to unveil its ultra-thin Galaxy S25 Edge on April 16, initial run of 40K units
➀ 据传闻,三星将于4月16日发布其超薄Galaxy S25 Edge;
➁ 首批生产量将限制在40,000台;
➂ 预计5月份上市,并将提供三种颜色。
02/27/2025, 04:04 AM UTC
三星Galaxy Z Flip 7提前曝光:7月正式发布First official look at Samsung's Galaxy Z Flip 7 ahead of July launch
➀ 三星即将推出的Galaxy Z Flip 7曝光,设计略有增大;
➁ 外部显示屏为3.6英寸,内部显示屏为6.8英寸;
➂ 齿轮和折叠折痕得到了改进。
02/18/2025, 07:01 PM UTC
三星副董事长与美国英伟达CEO会面:其8层HBM3E内存可能终于准备就绪Samsung Vice Chairman meets with NVIDIA CEO in the US: its 8-Hi HBM3E could finally be ready
➀ 三星副董事长全英焕与英伟达CEO黄仁勋会面,讨论为AI GPU供应8层HBM3E内存。
➁ 尽管有延误,三星计划在2025年初获得认证,而SK海力士已经获得了大部分英伟达的HBM3E订单。
➂ 三星原本预计将在2024年下半年实现HBM3E内存的质量认证,但最终未能实现。
01/30/2025, 02:08 AM UTC
英伟达CEO表示无法信任三星的HBM产品或工程师,不会与其开展业务NVIDIA CEO says he can't trust Samsung's HBM products or engineers, won't do business with them
➀ 英伟达CEO黄仁勋表示,由于信任问题,英伟达正在与三星及其HBM内存保持距离。
➁ 尽管之前有积极评价,但英伟达正在努力认证三星的HBM3E内存用于AI GPU。
➂ 如果认证失败,英伟达可能会依赖SK海力士和美光供应HBM内存。
01/23/2025, 02:31 PM UTC
三星正式预告首款三折叠Galaxy智能手机Samsung officially teases its first tri-fold Galaxy smartphone
➀ 三星在Unpacked活动中暗示了一款三折叠智能手机。
➁ 这款设备配备大屏幕,计划于2025年第三季度发布。
➂ 计划仅生产200,000台,主要针对科技爱好者。
01/23/2025, 08:12 AM UTC
奥金斯将向三星供应芯片测试插座Okins to supply chip test sockets to Samsung
➀ 奥金斯电子于周三宣布,将向三星供应超过400,000个半导体测试插座,总价值为665亿韩元(约占公司2023年收入的11.7%)。
➁ 奥金斯电子的一位发言人表示,这些插座中的大多数将用 于三星的生产流程中。
➂ 这份合同凸显了奥金斯电子与三星在半导体行业的紧密合作关系。
01/23/2025, 08:12 AM UTC
菲利奥普蒂克斯任命前三星执行官为晶圆厂设备业务负责人Philoptics names ex-Samsung exec as head of its fab equipment business
➀ 菲利奥普蒂克斯任命了一位前三星执行官为其晶圆厂设备业务负责人。
➁ Im Baek-gyun,他之前是三星设备解决方案部门(Samsung DI)的制造创新中心主管及执行副总裁,将于下个月担任总裁职务。
➂ 这一举措增强了菲利奥普蒂克斯在半导体设备市场的地位。
01/23/2025, 03:09 AM UTC
三星预热新Galaxy S25 Edge:超薄智能手机将与iPhone 17 Air竞争Samsung teases new Galaxy S25 Edge, new ultra-slim smartphone to compete with iPhone 17 Air
➀ 三星预热了Galaxy S25 Edge,这是一款配备200兆像素摄像头的超薄智能手机。
➁ 该设备将在美国和韩国等选定市场进行分阶段发布。
➂ 预计Galaxy S25 Edge将在今年晚些时候与苹果的iPhone 17 Air展开竞争。
01/23/2025, 02:08 AM UTC
三星发布Galaxy S25系列智能手机,搭载高通Snapdragon 8 Elite处理器Samsung unveils new Galaxy S25 series powered by Qualcomm Snapdragon 8 Elite, 12GB RAM, and AI
➀ 三星发布了Galaxy S25系列智能手机,包括S25、S25+和S25 Ultra。
➁ S25和S25+配备了Snapdragon 8 Elite处理器、12GB RAM以及基于Android 15的One UI 7。
➂ S25 Ultra配备了一块6.9英寸的防反射显示屏、200MP摄像头、16GB RAM以及最高可达1TB的存储空间。
01/20/2025, 01:07 AM UTC
如何观看三星Galaxy Unpacked 2025:Galaxy S25发布与Galaxy S25 Slim预览Here's how to watch Samsung Galaxy Unpacked 2025: Galaxy S25 unveiling, Galaxy S25 Slim tease
➀ 三星Galaxy Unpacked 2025将推出Galaxy S25 Ultra、S25、S25+,并预告Galaxy S25 Slim。
➁ 该活动还可能展示新的AR眼镜或XR头显。
➂ 三星将在S25系列中使用高通Snapdragon 8 Elite处理器和美光LPDDR5内存,但不会使用自家组件。
01/08/2025, 07:50 AM UTC
三星新Micro-LED智能镜可诊断面部和皮肤状况Samsung can diagnose face and skin conditions with its new Mirror display
➀ 三星在CES 2025上推出了Micro LED Beauty Mirror;➁ 该镜具有AI功能,提供个性化的皮肤健康信息和诊断皮肤状况;➂ 它可以以超过85%的准确度评估皱纹、色素沉着、毛孔和红润。01/05/2025, 05:11 AM UTC
三星Galaxy S25将不再使用自家芯片:骁龙8 Elite处理器,搭载美光LPDDR5内存Samsung won't use own chip or RAM inside Galaxy S25: Qualcomm Snapdragon, Micron LPDDR5 instead
➀ 三星Galaxy S25智能手机将搭载高通骁龙8 Elite处理器,取代自家的Exynos 2400;➁ 据传闻,这些设备将使用美光LPDDR5内存;➂ 近期基准测试显示出色的性能,表明国际版将全面转向骁龙芯片。12/28/2024, 12:38 PM UTC
高通骁龙8精英2将采用台积电N3P工艺,三星疑似失去订单[News] Qualcomm’s Snapdragon 8 Elite 2 to Use TSMC’s N3P as Samsung Reportedly Lost Order
➀ 根据《自由时报》援引《金融时报》的报道,近年来,主要科技公司大幅增加资本支出,以获取人工智能芯片和建设数据中心。➁ 然而,最近全球数据中心投资放缓,引发了对人工智能热潮可能正在降温的担忧。➂ 高通的骁龙8精英2将采用台积电的N3P工艺,而据报道,三星失去了订单。12/12/2024, 08:02 AM UTC
三星HBM3E内存今年向英伟达供应“实际上不可能”,现在推迟到2025年Samsung HBM3E memory supply to NVIDIA is 'realistically impossible' to do this year, now 2025
➀ 三星尚未通过英伟达对HBM3E内存的认证;➁ 延迟的原因是三星无法满足英伟达的芯片性能要求;➂ 今年三星向英伟达供应HBM3E实际上“不可能”。12/10/2024, 09:12 AM UTC
三星准备1c DRAM大规模生产,在HBM4内存中保持竞争优势Samsung gearing up for 1c DRAM mass production, its competitive edge in HBM4 memory
➀ 三星正在为其平泽工厂4号(P4)的1c DRAM大规模生产做准备;➁ 1c DRAM是第六代10纳米级技术,预计将在2025年全面商业化;➂ 三星希望通过这项新技术提升其在人工智能市场的竞争力。12/10/2024, 05:11 AM UTC
三星完成下一代400层NAND技术开发,2025年初推出1TB 400层TLC NANDSamsung finishes development on next-gen 400-layer NAND, 1Tb 400-layer TLC NAND in early 2025
➀ 三星电子成功开发出400层NAND技术,超越了SK海力士的321层NAND;➁ 400层NAND将在2025年下半年开始量产;➂ 三星计划在2025年2月的ISSCC 2025会议上详细介绍其新的1TB 400层TLC NAND。12/05/2024, 09:27 AM UTC
三星将改变iPhone使用的低功耗DRAM的封装方式Samsung to change packaging method of low-power DRAM used in iPhones
➀ 三星正在研究更改iPhone中使用的LPDDR封装方式;➁ 这一改变是应苹果的要求,将LPDDR集成电路转换为离散封装;➂ 新的封装将涉及将LPDDR单独封装。11/28/2024, 07:37 AM UTC
三星年末重组聚焦芯片部门应对“危机”Samsung year-end reshuffle focuses on chip division amid 'crisis'
➀ 三星年末重组重点聚焦于其芯片部门;➁ 公司面临所谓的“危机”,对部门未来的担忧日益加剧;➂ 三星宣布了新任的设备解决方案(DS)部门的总裁。11/28/2024, 07:37 AM UTC
三星年末重组聚焦芯片部门应对危机Samsung year-end reshuffle focuses on chip division amid 'crisis'
➀ 三星的年度重组集中在芯片部门;➁ 随着对该部门未来发展的担忧加剧,公司面临危机;➂ 三星宣布了设备解决方案部门的新的总裁。11/26/2024, 08:08 AM UTC
三星在3D NAND光刻过程中成功大幅减少光刻胶使用Samsung succeeds in reducing use of PR during 3D NAND lithography
➀ 三星在其3D NAND闪存生产的光刻过程中显著减少了光刻胶的使用量。➁ 公司计划在未来的NAND生产中仅使用之前一半的光刻胶量。➂ 这项举措是三星提高制造效率和降低成本的努力之一。11/26/2024, 02:29 AM UTC
NVIDIA将使用三星GDDR7内存芯片为下一代GeForce RTX 50系列GPUNVIDIA reportedly using Samsung GDDR7 memory chips for next-gen GeForce RTX 50 series GPUs
➀ NVIDIA将为即将推出的GeForce RTX 50系列GPU使用三星的新GDDR7内存芯片;➁ RTX 50系列将配备28Gbps和32Gbps的GDDR7内存;➂ 三星的GDDR7内存芯片将在2025年初用于NVIDIA的GeForce RTX 50系列GPU。11/22/2024, 11:01 AM UTC
三星提前开启黑色星期五促销,亚马逊上三款产品最高直降40%Samsung drops into Black Friday early with three Amazon deals up to 40% off
➀ 三星在亚马逊上提前推出了黑色星期五促销活动;➁ 精选智能电视和音响条型号可享受高达40%的折扣;➂ 促销活动包括特定型号全系列的价格下调。11/09/2024, 10:19 AM UTC
三星计划将过时NAND设备出售给中国本地公司 | TrendForce 新闻[News] Samsung Reportedly Mulls to Offload Outdated NAND Equipment in China to Local Companies | TrendForce News
➀ 据报道,三星正在减少其晶圆厂和传统DRAM的生产;➁ 这家韩国半导体巨头据说正在考虑将过时的NAND设备出售给中国;➂ 据称,本地中国公司是潜在买家。11/07/2024, 04:10 AM UTC
三星Galaxy S25 Slim新机传闻将于2025年与苹果iPhone 17 Air竞争Samsung's newly-rumored Galaxy S25 Slim will compete against Apple's new iPhone 17 Air in 2025
➀ 三 星预计将于2025年4月推出超薄Galaxy S25 Slim;➁ 这款新智能手机将与苹果的iPhone 17 Air竞争;➂ 同时,三星可能还会在同期发布Galaxy Z Flip SE和Galaxy Z Fold 7。11/01/2024, 02:44 AM UTC
三星提升关键HBM供应,暗示与台积电合作[News] Samsung Advances Key HBM Supply, Hints at TSMC Partnership
➀ 三星电子在第三季度财报中宣布,尽管利润大幅下降,但盈利情况超出预期。➁ 公司强调其在高带宽内存(HBM)供应方面的进步。➂ 三星暗示可能将与台积电进行合作,表明在半导体行业中进行战略布局的意图。10/31/2024, 07:08 AM UTC
三星芯片部门第三季度利润下降40%,销售额创新高[News] Samsung’s Chip Division Sees 40% Profit Drop in Q3 as Sales Hit Record High
➀ 三星芯片部门2024年第三季度利润下降40% ;➁ 尽管如此,销售额达到历史新高;➂ 强调了对HBM进展和先进节点良率问题的担忧。10/31/2024, 01:00 AM UTC
三星将在家用电器中使用高通处理器而非自家的Exynos处理器[News] Samsung Reported to Use Qualcomm Processors Instead of Its Exynos Processors in Home Appliances
➀ 据报道,三星将在家用电器中弃用自家的Exynos处理器,转而使用高通的Snapdragon处理器;➁ 这一举措是三星扩大Snapdragon处理器在Galaxy旗舰手机中使用范围策略的一部分;➂ TechNews指出,这一变动可能会影响三星家用电器产品的性能和成本。10/29/2024, 02:39 AM UTC
三星计划2026年实现400层垂直NAND,2030年目标1000层NAND[News] Samsung Reportedly Plans 400-layer Vertical NAND by 2026, Targeting 1,000-layer NAND by 2030
➀ 据报道,三星计划到2026年推出400层垂直NAND;➁ 该公司旨在2030年实现1000层NAND的目标;➂ 这是内存市场竞争的一部分,尤其是在HBM成为AI时代关键战场的情况下。10/28/2024, 06:35 AM UTC
三星新型突破性内存技术:融合RAM和SSD的Selector-Only MemorySamsung's new and potentially breakthrough memory technology blends RAM and SSDs
➀ 三星正在开发一种名为Selector-Only Memory (SOM)的新型内存,它结合了RAM和SSD的特性。➁ 研究人员利用先进的计算机建模将4000种潜在材料组合缩小到18个主要候选者。➂ 这些发现将在12月的国际电子器件会议上展示。10/24/2024, 12:00 PM UTC
三星电子退出LED业务[News] Samsung Electronics Exits LED Business
➀ 三星电子最近开始重组其业务;➁ 重组内容包括退出LED业务;➂ 这一决定由中国中央电视台财经频道发布的报告中宣布。10/23/2024, 02:11 AM UTC
200名三星半导体工程师申请加入韩国竞争对手SK海力士的工作200 semiconductor engineers working for Samsung applied for jobs with rival SK hynix
➀ 200名三星半导体工程师申请加入SK海力士;➁ 三星芯片业务增长担忧加剧;➂ SK海力士扩大了招募经验不足五年的工程师的项目,吸引了大量三星工程师。10/22/2024, 01:30 AM UTC
百多豪门公司 Samsung 工程师向 SK Hynix 求 jobHundreds of Samsung engineers apply for SK Hynix etching job
百多 Samsung 职业员向 SK Hynix 赞助, Samsung 主要面临技术商业危机;投降寻求其他公司参加工作或获得政府资金,反映出 Samsung在市场竞争中的不足10/20/2024, 10:55 AM UTC
NVIDIA Blackwell AI GPU问题损害与台积电关系,RTX 50 GPU可能由三星制造NVIDIA Blackwell AI GPU issues hurt relations with TSMC, RTX 50 GPUs nearly made by Samsung
➀ NVIDIA的Blackwell AI GPU问题导致与台积电关系紧张;➁ NVIDIA考虑将GeForce RTX 50系列GPU的生产转给三星;➂ 台积电和NVIDIA互相指责缺陷问题。09/23/2024, 05:50 PM UTC
内存制造商在Linux开发者领域展开新战场CXL Linux developers: a new battleground for memory makers
➀ 内存制造商正竞争争取服务器操作系统开发者的支持;➁ 三星与红帽合作;➂ SK Hynix似乎旨在赢得整个生态系统的支持。09/12/2024, 01:03 PM UTC
三星S25 Ultra渲染图曝光:未发布智能手机的四面图Samsung S25 Ultra render reveals all four sides of the unreleased smartphone
➀ 三星S25 Ultra的渲染图已在线上曝光;➁ 揭示了三星为其下一代产品所开发的样貌;➂ 加入下面的新闻讨论!08/20/2024, 12:39 AM UTC
三星下一代HBM4将于2025年底进入大规模生产,为下一代AI GPU准备就绪Samsung's next-gen HBM4 to enter mass production by the end of 2025, ready for next-gen AI GPUs
➀ 三星预计将在2024年第四季度完成下一代HBM4内存的设计。➁ HBM4的大规模生产计划于2025年第四季度进行,目标是为英伟达的下一代Rubin R100 AI GPU提供支持。➂ AI行业的需求正在推动HBM内存的增长,SK海力士和三星正在大力投资生产能力。08/05/2024, 11:00 PM UTC
三星将LPDDR5X芯片厚度缩减9%,现仅0.65mm厚Samsung Shrinks LPDDR5X Chips by 9%, Now Just 0.65mm Thick
➀ 三星已开始量产12 GB和16 GB的LPDDR5X模块,采用业界最薄的封装,厚度约为0.65毫米。➁ 通过采用新的封装方法和优化的背磨工艺,实现了超薄设计,热阻提高了21.2%。➂ 更薄的LPDDR5X封装有助于增强智能手机内部的空气流动,显著改善热管理,可能延长设备的使用寿命。07/31/2024, 08:33 AM UTC
三星HBM3E内存获批用于NVIDIA AI GPU还需等待2-4个月Samsung still needs to wait 2-4 months for its HBM3E memory to be approved for NVIDIA AI GPUs
1、三星已获批将其HBM3内存用于NVIDIA的AI GPU。2、三星下一代HBM3E内存的批准预计将在未来2-4个月内获得。3、HBM市场预计将大幅增长,到2027年将达到710亿美元。07/29/2024, 07:33 AM UTC
三星全新卷曲显示屏革新设备交互方式Samsung's wild new rollable display revolutionizes interacting with devices
1、三星申请了一项革命性的可折叠显示屏专利。2、该显示屏可以水平扩展并根据使用情况调整大小。3、这项技术 可能会改变我们与设备的交互方式。07/25/2024, 03:27 PM UTC
SK海力士在全球HBM需求中创下利润新高SK hynix posts record profits amid global HBM demand
1、SK海力士报告2024年第二季度营收同比增长125%,主要受AI应用中对HBM内存的高需求推动。2、公司计划大规模生产12层HBM3e产品,并推出适用于服务器的32 Gb DDR5 DRAM。3、SK海力士正在通过新建工厂扩大生产能力,旨在巩固其在AI内存市场的地位。07/24/2024, 02:04 AM UTC
三星推出Galaxy Watch FE智能手表,售价34,760日元Samsung Launches Galaxy Watch FE Smartwatch for 34,760 Yen
1、三星电子日本公司推出入门级智能手表Galaxy Watch FE,将于7月31日发布,售价为34,760日元;2、该手表提供超过100种运动测量、身体成分分析,以及睡眠习惯和健康 洞察,以支持生活方式的改善;3、手表搭载Exynos W920处理器,1.5GB内存,16GB存储,约1.2英寸的Super AMOLED显示屏,并运行在由三星提供支持的Wear OS上,界面为One UI 5 Watch。07/23/2024, 05:33 PM UTC
南华化学子公司向三星供应硫酸原型Namhae Chemical’s subsidiary supplies sulfuric acid prototype to Samsung
1、南华化学的子公司NES Materials已向三星提供用于芯片生产的高纯度硫酸原型。2、这种用于清洗晶圆的硫酸正在接受三星的性能测试。3、NES Materials是一家成立于2021年的合资企业。07/19/2024, 01:00 PM UTC
台积电、英特尔和三星的代工2.0战略TSMC Foundry 2.0 Intel IDM 2.0 and Samsung IDunno 2.0
1、台积电的“可信代工”战略限制了三星的市场份额,使其只能服务于非台积电客户。2、英特尔的IDM 2.0显示出令人印象深刻的进展,有可能从三星手中夺取市场份额。3、台积电的代工2.0战略侧重于扩展产品 和服务,N2和N2P技术预计将在性能和能效方面领先。07/17/2024, 03:09 AM UTC
三星推出带S Pen的Galaxy Tab S6 Lite(2024)平板电脑,售价不到500美元Samsung Launches Galaxy Tab S6 Lite (2024) with S Pen for Under $500
1. 三星宣布推出带有S Pen的Galaxy Tab S6 Lite(2024)平板电脑,售价不到500美元;2. 该平板电脑配备了10.4英寸显示屏、Exynos 1280处理器、4GB内存和64GB存储空间;3. 它运行在Android 14上,并包括一个7,040mAh的电池。07/17/2024, 12:00 PM UTC
三星验证LPDDR5X运行速度达10.7 GT/s,搭载联发科天玑9400 SoCSamsung Validates LPDDR5X Running at 10.7 GT/sec with MediaTek's Dimensity 9400 SoC
1、三星成功验证了其LPDDR5X-10700内存与联发科即将推出的天玑9400 SoC,运行速度达到10.7 GT/s。2、16 GB LPDDR5X封装提供85.6 GB/秒的内存带宽,增强AI和图形性能。3、此次合作旨在提高超过25%的能效 ,并增强设备上的AI功能。07/05/2024, 03:00 PM UTC
三星加入60TB SSD俱乐部,展望120TB驱动器Samsung Joins The 60 TB SSD Club, Looking Forward To 120 TB Drives
1、三星推出了使用第七代V-NAND QLC内存的61.44 TB SSD,即BM1743。2、该公司计划以U.2和E3.S形式提供该驱动器,分别用于PCIe 4.0和5.0。3、三星展望基于相同技术的未来驱动器将达到120 TB的容量。07/04/2024, 04:06 PM UTC
Neosem向三星供应CXL 2.0内存检测设备Neosem supplies CXL 2.0 memory inspection kit to Samsung
1、Neosem成为首家供应CXL 2.0内存生产检测设备的公司。2、该设备用于确定CXL 2.0内存模块的可操作性。3、新设 备的客户是三星。07/03/2024, 05:45 PM UTC
三星开发新型芯片封装技术以防止AP过热Samsung developing new chip package tech to prevent AP overheating
1、三星正在开发一种新型芯片封装技术,以解决应用处理器(AP)的过热问题。2、该技术包括在SoC上附加一个热路径块(HPB)。3、预计这项技术将在未来的Exynos芯片中得到应用。07/02/2024, 10:02 PM UTC
三星在第9代V-NAND中应用钼Samsung applies molybdenum in Gen 9 V-NAND
1、三星在其第9代V-NAND的金属化过程中使用钼。2、公司已从Lam Research获得五台钼沉积机。3、三星计划明年再引进二十台。06/18/2024, 06:50 PM UTC
三星与SK海力士将在3D DRAM中应用混合键合技术Samsung and SK Hynix to apply hybrid bonding on 3D DRAM
1、韩国内存芯片制造商三星和SK海力士计划在其即将推出的3D DRAM产品中采用混合键合技术。2、SK海力士在上周于首尔举行的2024年国际内存研讨会上宣布,将在3D DRAM生产中使用晶圆键合技术,这是一种混合键合技术。06/13/2024, 11:00 AM UTC
三星晶圆代工发布更新路线图:2027年前实现BSPDN和2nm工艺进化Samsung Foundry Unveils Updated Roadmap: BSPDN and 2nm Evolution Through 2027
1、三星在美国三星晶圆代工论坛上公布了其最新工艺技术路线图,涵盖了2027年前2nm级别节点的演进。2、路线图中引入了BSPDN技术,并计划在2027年前开发出1.4nm级别节点。3、三星还将SF3P节点重新命名为SF2,旨在为高性能设备提供改进的PPA效益。06/11/2024, 09:02 AM UTC
三星认为混合键合对于制造16层高带宽内存(HBM)是必要的Samsung maintains hybrid bonding needed for HBM 16H
1、三星在其最新论文中强调了混合键合对于制造16层高带宽内存(HBM)的必要性。2、该论文在2024年IEEE第74届电子元件与技术会议( 在科罗拉多州举行)上发表,讨论了D2W(芯片到晶圆)铜键合技术。05/22/2024, 08:15 AM UTC
三星将在Flip 6和Fold 6中使用骁龙8 Gen 3处理器Samsung to use Snapdragon 8 Gen 3 in Flip 6, Fold 6
05/07/2024, 08:00 AM UTC
三星采用双轨道方法开发HBM内存。Samsung takes two-track approach to HBM development
05/03/2024, 08:30 PM UTC
Samsung Tapes Out Its First 3nm Smartphone SoC, Gets A Boost From Synopsys AI-Enabled Tools
05/02/2024, 09:29 AM UTC
Samsung returns to profitability in chips in first-quarter
05/01/2024, 12:00 PM UTC
Samsung Foundry Update: 2nm Unveil in June, Second-Gen SF3 3nm Hits Production This Year
04/30/2024, 09:28 AM UTC
**Samsung考虑在下一代DRAM中应用金属氧化物光阻**Samsung considering applying metal oxide resist in next DRAM
04/24/2024, 08:46 AM UTC
Samsung MX商业将在XR设备上使用索尼的OLEDoS而不是三星显示器Samsung MX Business to use Sony’s OLEDoS over Samsung Display for XR device
04/08/2024, 11:37 AM UTC
Samsung赢得了Nvidia的2.5D封装订单Samsung wins Nvidia’s 2.5D package order
04/04/2024, 07:16 PM UTC
Samsung's new HBM development team to have 400 employees
04/04/2024, 07:16 PM UTC
Samsung completes 16-stack HBM sample
03/12/2024, 02:46 PM UTC
Samsung recovers operation rate of Xian chip fab to 70 percent
03/09/2024, 05:28 AM UTC
Samsung to turn HBM task force into permanent office
03/04/2024, 01:28 PM UTC
Samsung considers applying MUF to server DRAM
03/04/2024, 01:28 PM UTC
Samsung introduces HBM3E amid fierce competition over HBM dominance
02/22/2024, 03:52 PM UTC
Samsung partners with Arm to optimize GAA process
02/07/2024, 11:55 PM UTC
Samsung and SK Hynix’s expanded use of EUV to increase demand for CO2 gases
01/08/2024, 05:30 PM UTC
Samsung orders dozens of TC bonders from Semes
12/04/2023, 03:54 PM UTC
Samsung orders 'significant' number of 2.5D bonding equipment from Japan
11/16/2023, 09:46 PM UTC
Samsung’s chip business testing PGMEA from Chemtronics
10/10/2023, 03:08 PM UTC
Samsung to use Exynos again for Galaxy S24 Series
08/31/2023, 03:36 PM UTC
Samsung unveils new HBM-PIM aimed at AI
07/28/2023, 03:12 PM UTC
Samsung’s chip division narrows operating loss in second quarter