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Recent #HBM4 news in the semiconductor industry

  • tweaktown

    02/28/2025, 02:08 AM UTC

    ➀ NVIDIA确认Blackwell Ultra和Vera Rubin AI架构进展顺利,预计在GTC 2025上将有重大宣布;

    ➁ 尽管初期有延误,但生产已加速,保持了年度发布节奏;

    ➂ 新一代Rubin AI GPU将采用先进的HBM4内存,SK hynix、三星和美光等合作伙伴参与其中。

  • tweaktown

    02/27/2025, 12:06 AM UTC

    ➀ SK海力士新一代HBM4 12-Hi内存良率达到70%,将用于NVIDIA即将推出的Rubin R100 AI GPU。

    ➁ 测试良率是预测实际未来良率的一个指标,SK海力士的目标是将良率提高到90%以上。

    ➂ 作为关键合作伙伴,台积电预计将扩大CoWoS先进封装产能,以满足Rubin芯片的大量需求。

  • 01/19/2025, 11:44 AM UTC

    ➀ 三星和SK海力士正在竞相向博通供应HBM4,博通是英伟达的一个新兴竞争对手。

    ➁ SK海力士已收到博通的大批量定制HBM4请求。

    ➂ 三星也正与博通就供应HBM4进行讨论。

  • tweaktown

    12/31/2024, 06:12 AM UTC

    ➀ 据传闻,SK海力士董事长Chey Tae-won将在CES 2025与英伟达CEO黄仁勋会面,讨论未来AI GPU的HBM4内存;➁ 英伟达要求加速HBM4的生产,以满足其Rubin R100 AI GPU的需求;➂ 英伟达在CES的演讲将重点介绍包括GeForce RTX 50系列在内的最新进展。
  • tweaktown

    12/10/2024, 09:12 AM UTC

    ➀ 三星正在为其平泽工厂4号(P4)的1c DRAM大规模生产做准备;➁ 1c DRAM是第六代10纳米级技术,预计将在2025年全面商业化;➂ 三星希望通过这项新技术提升其在人工智能市场的竞争力。
  • tweaktown

    12/04/2024, 05:11 AM UTC

    ➀ NVIDIA的Rubin AI GPU架构,原定于2026年发布,现在预计提前六个月;➁ 采用台积电的3nm工艺和下一代HBM4内存;➂ 继承了Blackwell架构,NVIDIA正与台湾合作伙伴合作开发基于R100的AI服务器。
  • tweaktown

    11/15/2024, 04:10 AM UTC

    ➀ 三星正在为Meta和微软开发定制化的HBM4内存解决方案;➁ 预计到2025年底开始量产;➂ 新的HBM4内存将提供2TB/s的带宽和高达48GB的容量。
  • tweaktown

    11/04/2024, 03:52 AM UTC

    ➀ 英伟达CEO黄仁勋请求SK海力士提前六个月供应HBM4内存;➁ SK海力士原计划于2025年下半年准备好下一代HBM4内存;➂ 英伟达目前使用SK海力士的HBM3E内存为其AI芯片供电,并计划在其即将推出的Rubin R100 AI GPU中使用HBM4。
  • tweaktown

    08/27/2024, 02:33 AM UTC

    ➀ SK海力士计划在2024年10月完成其HBM4内存的试产;➁ HBM4相较于HBM3E,带宽提升40%,功耗降低70%;➂ 英伟达的下一代Rubin R100 AI GPU将采用HBM4内存,预计2025年上市。
  • tweaktown

    06/24/2024, 04:34 AM UTC

    1、台积电与全球联合科技获得SK海力士下一代HBM4内存基底芯片的大量订单。2、台积电与创意电子合作,专注于开发AI服务器所需的HBM关键周边组件。3、业界预期HBM4将有重大变化,包括堆栈高度增加和集成逻辑IC以提升带宽传输速度。
  • tweaktown

    06/17/2024, 03:51 AM UTC

    1、三星计划在接下来的12个月内推出HBM4的3D封装服务。2、这项技术旨在为2025年发布的下一代AI GPU服务。3、新的3D封装技术被称为SAINT-D,将用于将HBM芯片垂直堆叠在GPU上方,以提高速度,无需硅中介层。
  • anandtech

    05/16/2024, 12:00 PM UTC

  • thelec

    04/22/2024, 06:09 PM UTC

    SK Hynix is planning to use TSMC’s base die technology for its next-generation high bandwidth memory (HBM).The South Korean memory maker used its own process to make the base die for its latest HBM3E.For the follow-up HBM4, which will start mass production in 2026, SK Hynix will use TSMC’s advanced
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