三星准备大规模生产1c DRAM，提升HBM4内存竞争力
12/10/2024, 09:12 AM UTC
三星准备1c DRAM大规模生产，在HBM4内存中保持竞争优势Samsung gearing up for 1c DRAM mass production, its competitive edge in HBM4 memory
➀ 三星正在为其平泽工厂4号（P4）的1c DRAM大规模生产做准备；➁ 1c DRAM是第六代10纳米级技术，预计将在2025年全面商业化；➂ 三星希望通过这项新技术提升其在人工智能市场的竞争力。➀ Samsung is preparing for 1c DRAM mass production at its Pyeong Plant 4; ➁ The 1c DRAM is a 6th generation 10nm-class technology expected to be fully commercialized in 2025; ➂ Samsung aims to enhance its competitiveness in the AI market with the new technology.三星电子正在为其下一代HBM4内存做准备，计划在平泽工厂4号（P4）进行1c DRAM的大规模生产。这种1c DRAM采用第六代10纳米级技术，预计将在2025年全面商业化。
据韩国媒体ZDNet报道，三星已经开始从 合作伙伴那里订购设备，计划在2025年第一季度开始安装生产线。1c DRAM的电路线大约在11-12纳米，比目前商业化的1b DRAM（第五代）领先一代。
三星曾使用其1a（第四代）DRAM用于HBM3E，但将改为1c用于下一代HBM4内存。如果三星能够成功实现基于1c DRAM的HBM4的大规模生产，这将大大提升该公司在人工智能市场的竞争力。
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