SK海力士HBM4内存即将试产：为英伟达Rubin R100 AI GPU助力
08/27/2024, 02:33 AM UTC
SK海力士下一代HBM4内存将于十月试产：为英伟达未来Rubin R100 AI GPU准备SK hynix's next-gen HBM4 tape out in October: ready for NVIDIA's future-gen Rubin R100 AI GPU
➀ SK海力士计划在2024年10月完成其HBM4内存的试产；➁ HBM4相较于HBM3E，带宽提升40%，功耗降低70%；➂ 英伟达的下一代Rubin R100 AI GPU将采用HBM4内存，预计2025年上市。➀ SK hynix plans to tape-out its HBM4 memory in October 2024; ➁ HBM4 offers a 40% increase in bandwidth and 70% reduced power consumption compared to HBM3E; ➂ NVIDIA's next-gen Rubin R100 AI GPU will use HBM4 memory, expected to be available in 2025.SK海力士，全球知名的半导体公司，正准备在2024年第四季度完成其下一代高带宽内存（HBM4）的试产，这一进展将为英伟达即将在2025年推出的Rubin R100 AI GPU提供强大的支持。
HBM4内存技术相较 于当前最快的HBM3E，不仅在带宽上提升了40%，更在功耗上实现了惊人的70%的降低。这种技术的进步，使得HBM4在性能和效率上都有了质的飞跃，这对于英伟达在AI GPU领域的持续领先至关重要。
英伟达已经确认，其下一代Rubin AI GPU将采用HBM4内存，预计这些GPU及其平台将在2026年面世，而更高级的Rubin Ultra AI GPU则计划在2027年推出。这一系列的技术升级，预示着未来几年内，英伟达在AI芯片领域的竞争力将得到进一步加强。
此外，台积电作为主要的芯片制造合作伙伴，也将采用其最新的CoWoS-L封装技术和N3工艺节点来生产这些高性能的AI GPU，预计在2026年，台积电还将推出更大尺寸的芯片，以支持更多的HBM站点，进一步提升芯片的性能和集成度。
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