Recent #SiC news in the semiconductor industry
03/28/2025, 01:00 PM UTC
GaN被选用于马自达汽车功率项目GaN picked for Mazda automotive power project
➀ 马自达和罗姆签订了一份协议，共同开发基于氮化镓的汽车功率电子。
➁ 氮化镓可以通过高频运行降低功率转换损耗，并有助于组件的微型化。
➂ 合作旨在在财年2025年展示示范模型，并在财年2027年实现实际应用。
03/24/2025, 05:48 AM UTC
高功率芯片的下一代测试仪Next-Generation Tester For High-Power Chips
➀ MICROTEST推出了VIP ULTRA测试仪，这是其VIP Extended产品线的最新成员，专门用于测试由碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）制成的宽带隙（WBG）器件。
➁ VIP ULTRA支持多种配置，电压能力可达1.7kV或4kV，电流容量高达250A，并提供高并行性以测试高功率芯片。
➂ 这款先进的测试仪特别适用于在硅晶圆级测试高功率芯片，在芯片分割和集成前确保其功能，满足汽车和工业领域不断增长的需求。
03/20/2025, 05:51 AM UTC
行业领先的1200 V SiC MOSFETsIndustry Leading 1200 V SiC MOSFETs
➀ Nexperia推出了行业领先的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET，采用顶部冷却设计，适用于电动汽车充电站、电池储能系统（BESS）和光伏逆变器等高功率应用。
➁ 这些MOSFET通过创新的X.PAK封装实现了卓越的热性能、低电感和更高的功率密度，结合了表面贴装和通孔冷却的优势。
➂ 设备在宽温度范围（25°C至175°C）内保持稳定性能，相较于传统方案提供了更好的热管理和可靠性。
03/19/2025, 11:34 AM UTC
Nexperia推出18.5 x 14mm顶侧冷却封装30mΩ 1.2kV碳化硅MOSFET30mΩ 1.2kV SiC mosfet in top-side cooled package
➀ Nexperia已推出一款带有18.5 x 14mm尺寸的顶侧冷却塑料封装的1,200V 30mΩ碳化硅MOSFET。
➁ 该 器件在25°C时可处理68A电流，在100°C时为48A，脉冲电流为160A。
➂ 该封装结合了SMD的组装优点和通孔技术的冷却效率，确保最佳散热。
03/19/2025, 06:16 AM UTC
英飞凌推出2000V CoolSiC肖特基二极管，适用于太阳能和电动汽车充电器SiC diode with breakdown voltage of 2000V in TO-247-2 package
➀ 英飞凌推出了CoolSiC肖特基二 极管2000 V G5产品系列，这是其首款 breakdown voltage 达到2000V的离散SiC二极管，采用TO-247-2封装。
➁ 该产品适用于直流链电压高达1500 V DC的应用，如太阳能和电动汽车充电器。
➂ 该二极管允许实现更高的功率水平，同时减少组件数量，简化整体设计。
03/18/2025, 05:57 AM UTC
适用于高功率应用的2000 V SiC肖特基二极管2000 V SiC Schottky Diode For High-Power Applications
➀ 英飞凌科技公司于2024年9月推出了业界首款离散型2000 V碳化硅（SiC）肖特基二极管——CoolSiC Schottky Diode 2000 V G5系列，现已提供TO-247-2封装，可简化设计过渡并减少高达50%的元件数量。
➁ 这些二极管具有多项关键特性，包括无反向恢复电流、无正向恢复、高浪涌电流能力、温度无关的开关行为、低正向电压降以及一致的正向电压特性。它们与英飞凌的2000 V CoolSiC MOSFET完美匹配。
➂ 新型二极管非常适合太阳能逆变器和电动汽车充电器等应用，支持更高功率水平，并通过简化设计和提高效率提升系统性能。
03/17/2025, 10:30 AM UTC
长安-斯达SiC项目即将投产，产能高达180万片Changan-SIDA SiC Project Set to Begin Production with 1.8 Million Units
➀ 长安深蓝汽车与斯达半导体共同组建的长安-斯达SiC项目即将投产，预计产能达180万片。
➁ 项目预计6月达到满产，一期产能50万片，二期将达180万片。
➂ 成立于2005年的斯达半导体专注于IGBT和碳化硅功率半导体芯片及模块的设计、研发、生产和销售。
03/10/2025, 06:28 AM UTC
意法半导体与三安光电在中国重庆合资成立碳化硅晶圆厂ST and Sanan Opto inaugurate jv SiC fab in China
➀ 在中国重庆，意法半导体与三安光电合资成立的碳化硅晶圆厂举行了开业仪式，总投资额为32亿美元。
➁ 三安光电持有合资公司51%的股份，意法半导体持有49%。该晶圆厂预计将在2025年第四季度开始量产8英寸碳化硅集成电路，采用意法半导体的碳化硅工艺技术。
➂ 到2028年全面运营时，该晶圆厂的产能将达到40k wpm。三安光电还将独立建设并运营一个8英寸碳化硅衬底制造厂，根据长期协议向合资公司提供晶圆。
03/04/2025, 11:01 AM UTC
钻石半导体：下一代电力电子的关键Diamond Semiconductors: The Key To Next-Generation Power Electronics
➀ 文章讨论了钻石半导体由于其无与伦比的热导率和宽禁带，可能彻底改变电力电子领域。
➁ 崎玉大学的研究人员开发了第一个钻石n沟道MOSFET，展示了在高温下的高场效应迁移率和稳定性。
➂ 公司如Adamant Namiki Precision Jewel Co, Ltd、崎玉大学、Element Six和Cree正在引领钻石半导体研究和商业化的前沿。
03/03/2025, 02:00 PM UTC
驱动半导体革命：工程化基板技术与材料创新的力量Powering the Future: How Engineered Substrates and Material Innovation Drive the Semiconductor Revolution
➀ 工程化基板技术正在推动半导体行业从传统的平面扩展到创新材料和3D集成。
➁ 慧荣科技、英特尔和三星等公司正在引领这项技术的采用。
➂ 代工厂越来越认识到全耗尽硅氧化物绝缘体（FD-SOI）等工程化基板在成本和性能方面的战略重要性。
02/27/2025, 09:17 AM UTC
薄片芯片和坚固基板——高效硅碳化物功率电子的关键技术Thin Chips and Robust Substrates – Key Technologies for Cost-Effective Silicon Carbide Power Electronics
本文讨论了通过像ThinSiCPower这样的研究项目来开发成本效益高的硅碳化物（SiC）功率电子。它强调了SiC相对于传统硅的优势，着重于降低成本和改善热机械稳定性的需求。该项目专注于在不需锯切和研磨的情况下制造薄硅碳化物芯片和成本效益高的基板，旨在加速高效硅碳化物功率电子的市 场渗透。
02/25/2025, 01:02 PM UTC
详解第三代半导体材料：碳化硅和氮化镓In-Depth Analysis of Third-Generation Semiconductor Materials: Silicon Carbide and Gallium Nitride
➀ 半导体材料的发展历程，从第一代到第三代；
➁ 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的独特物理特性，如宽带隙、高击穿场强、高电子迁移率和优异的热导率；
➂ SiC和GaN的市场格局，包括市场规模、主要玩家和应用领域。
02/11/2025, 10:08 AM UTC
合计投资超100亿，国内5个SiC项目传新进展Over 10 Billion Yuan in Investments: New Progress on 5 Domestic Si Projects
➀ 国内多个SiC相关项目取得新，包括新项目的开工和生产。
➁ 法士特加速推进其SiC电控项目，计划每年生产250万套 同步器和10万台电机电控系统。
➂ 天意半导体正在进行SiC晶体棒工艺的中试研究。
➃ 桂林恭城莫桑石和碳化硅材料生产项目已开工。
➄ 大业炭素即将投产半导体芯片级石墨材料提纯项目。
➅ 奕源半导体SiC项目预计明年投产。
02/07/2025, 11:50 AM UTC
又一8吋SiC工厂将竣工投产Another 8-inch SiC Factory to Be Completed and Launched
➀ Wolfspeed的第二个8英寸碳化硅工厂——查塔姆材料工厂即将竣工投产。
➁ 该工厂预计将在2024年3月前由Wolfspeed全面接管，并于2024年6月开始生产。
➂ 该工厂占地面积220万平方英尺，目前正在进行最后的施工工作，Wolfspeed正在进行碳化硅晶锭生产测试。
02/06/2025, 10:38 AM UTC
SiC开年大动作！8家企业&机构宣布最新进展SiC Industry's Big Moves in Early 2024: 8 Companies and Institutions Announce New Developments
➀ 英飞凌与Forvia Hella合作，将其SiC产品应用于下一代800V直流/直流充电解决方案。
➁ 三菱电机加入欧盟的'FLAGCHIP'项目，开发用于风力发电系统的SiC功率模块技术。
➂ 悉智科技的SiC模块进入商业储能应用，提高了效率。
➃ 宝马保时捷将推出新的SiC车型，实现显著的节能和性能提升。
➄ 中国科学院的自研SiC器件通过航天验证，用于空间应用。
➅ 南方电网和弗劳恩霍夫iSE加速电网设施中SiC的研发和应用。
01/08/2025, 12:50 PM UTC
新增8起SiC合作：获得广汽/上汽订单、8吋产品交付8 New SiC Collaborations: Guangqi/Shanghai Auto Orders, 8-inch Product Delivery
➀ 芯联集成与广汽埃安签署了联合实验室战略合作协议，共同推动汽车半导体技术研发创新。
➁ 悉智科技其自研的800V平台高端电驱SiC-DCM 8并塑封功率模块产品已成功突破2万颗的交付里程碑。
➂ 晶驰机电旗下开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉顺利通过客户验证。
12/26/2024, 06:45 AM UTC
用于SiC MOSFET保护的TVS二极管TVS Diode For SiC MOSFET Protection
➀ 普立泰科（Littelfuse）推出了一款新的TVS二极管系列，专为汽车应用中的SiC MOSFET栅极驱动器提供保护；➁ 该二极管提供单一组件保护，取代了多个齐纳二极管或TVS组件；➂ 该系列通过AEC-Q101认证，适用于空间受限的汽车设计。12/23/2024, 10:07 AM UTC
阳光电动力宣布两大喜讯：200万台产品下线，SiC电机控制器成功应用于吉利新混动车型SunPower Electric Announces 2 Major Milestones: 2 Million Units Off the Production Line and SiC Motor Controller Integration into Geely's New Hybrid Model
➀ 阳光电动力宣布生产第200万台产品，在新能源汽车电控、电源领域取得了重要里程碑；
➁ 新下线的混动双电控HEM38产品基于成熟的TPAK并联功率模组开发，配备SiC升压模块，最高效率达99.9%；
➂ 该SiC电机控制器已成功应用于吉利新混动车型星舰7 EM-i；
➃ 星舰7 EM-i是吉利基于GEA新能源专属架构打造的首款插电式混合动力车（PHEV）；
➄ 比亚迪、丰田、红旗、奇瑞、起亚等头部车企的混动车型也采用了基于SiC的DHT系统。
12/18/2024, 06:28 AM UTC
X-FAB提升其SiC工艺X-FAB upgrades its SiC process
➀ X-FAB硅晶圆厂升级了其XbloX平台，提升了SiC工艺技术，为功率MOSFETs提供更小的单元间距，增加了晶圆上的芯片数量，并改善了导通电阻而不损害可靠性；➁ 新工艺XSICM03现已提供早期访问；➂ XbloX平台通过集成合格的SiC工艺开发模块和模块，简化了上板流程，显著降低了设计风险和产品开发时间。11/24/2024, 08:47 PM UTC
TCK赢得对YMC和Wycom的碳化硅(SiC)专利侵权诉讼TCK wins SiC patent lawsuits against YMC, Wycom
➀ TCK于周五宣布，其针对YMC和Wycom的碳化硅(SiC)圆环专利侵权诉讼获胜；➁ 这起诉讼是在四年前提出的，TCK当时也在寻求赔偿；➂ 这些专利涉及能够承受等离子体并具有特定物理特性的碳化硅结构。11/20/2024, 06:00 PM UTC
在圣克拉拉硅基材料愿景峰会上相聚I will see you at the Substrate Vision Summit in Santa Clara
➀ 预计圣克拉拉硅基材料愿景峰会将吸引大量人群，聚焦半导体基板及其对3D IC性能的影响。 ➁ 将讨论人工智能在转型半导体价值链中的作用，强调其对规模、复杂性和高性能芯片需求的影响。 ➂ 主题演讲和圆桌讨论将探讨半导体材料、人工智能计算以及大学在技术发展中的作用。
