Recent #MOSFET news in the semiconductor industry
03/19/2025, 11:34 AM UTC
Nexperia推出18.5 x 14mm顶侧冷却封装30mΩ 1.2kV碳化硅MOSFET30mΩ 1.2kV SiC mosfet in top-side cooled package
➀ Nexperia已推出一款带有18.5 x 14mm尺寸的顶侧冷却塑料封装的1,200V 30mΩ碳化硅MOSFET。
➁ 该器件在25°C时可处理68A电流，在100°C时为48A，脉冲电流为160A。
➂ 该封装结合了SMD的组装优点和通孔技术的冷却效率，确保最佳散热。
03/19/2025, 05:10 AM UTC
双MOSFET用于超级电容器平衡Dual MOSFET For Supercapacitor Balancing
➀ Advanced Linear Devices Inc.（ALD）在其超级电容器自动平衡（SAB）MOSFET系列中推出了一款双MOSFET，可实现对在2.8V至3.3V范围内工作的超级电容器进行自动平衡和功率管理。
➁ ALD910030 在电池均衡过程中消耗极低的功率，并有助于防止超级电容器出现故障，这些超级电容器越来越多地应用于配电箱、备用电源系统和工业应用中。
➂ 双MOSFET 监控并控制串联堆叠中的每个超级电容器的电压和漏电流，防止功率波动，并确保在-40°C到+85°C的温度范围内稳定运行。
03/06/2025, 10:27 AM UTC
辐射耐受型p沟道MOSFET应用于太空Rad-tolerant p-channel mosfet for space
➀ 英飞凌推出适用于低地球轨道太空应用的辐射耐受型p沟道塑料封装功率MOSFET；
➁ 该MOSFET为60V型号，与四种适用于60V或150V使用的n沟道太空设备一同推出；
➂ 该p沟道MOSFET型号为BUP06CP038F-01，采用DPAK（TO252）封装，额定连续电流为35A，单事件效应（SEE）为46MeV∙cm2/mg，总电离剂量（TID）为30至50krad（Si）。
03/04/2025, 11:01 AM UTC
钻石半导体：下一代电力电子的关键Diamond Semiconductors: The Key To Next-Generation Power Electronics
➀ 文章讨论了钻石半导体由于其无与伦比的热导率和宽禁带，可能彻底改变电力电子领域。
➁ 崎玉大学的研究人员开发了第一个钻石n沟道MOSFET，展示了在高温下的高场效应迁移率和稳定性。
➂ 公司如Adamant Namiki Precision Jewel Co, Ltd、崎玉大学、Element Six和Cree正在引领钻石半导体研究和商业化的前沿。
01/09/2025, 09:01 AM UTC
瑞萨开发新型MOSFeT工艺Renesas develops new MOSFET process
➀ 瑞萨推出了100V高压N通道MOSFET，具有行业领先的电流开关性能；➁ 新的REXFET-1工艺将导通电阻降低了30%，Qg特性降低了10%；➂ 这些MOSFET采用标准封装，并附带参考设计，方便客户使用。12/26/2024, 06:45 AM UTC
用于SiC MOSFET保护的TVS二极管TVS Diode For SiC MOSFET Protection
➀ 普立泰科（Littelfuse）推出了一款新的TVS二极管系列，专为汽车应用中的SiC MOSFET栅极驱动器提供保护；➁ 该二极管提供单一组件保护，取代了多个齐纳二极管或TVS组件；➂ 该系列通过AEC-Q101认证，适用于空间受限的汽车设计。12/20/2024, 05:56 AM UTC
高效能FET延长电池寿命Power-Efficient FET For Longer Battery Life
➀ 晶电扩展了第七代MXT LV MOSFETs的生产；➁ MXT LV MOSFETs采用超级短沟道FET（SSCFET）技术；➂ 提高电池供电设备的功率效率和降低热量产生。12/18/2024, 06:28 AM UTC
X-FAB提升其SiC工艺X-FAB upgrades its SiC process
➀ X-FAB硅晶圆厂升级了其XbloX平台，提升了SiC工艺技术，为功率MOSFETs提供更小的单元间距，增加了晶圆上的芯片数量，并改善了导通电阻而不损害可靠性；➁ 新工艺XSICM03现已提供早期访问；➂ XbloX平台通过集成合格的SiC工艺开发模块和模块，简化了上板流程，显著降低了设计风险和产品开发时间。
