03/06/2025, 10:27 AM UTC
辐射耐受型p沟道MOSFET应用于太空Rad-tolerant p-channel mosfet for space
➀ 英飞凌推出适用于低地球轨道太空应用的辐射耐受型p沟道塑料封装功率MOSFET；
➁ 该MOSFET为60V型号，与四种适用于60V或150V使用的n沟道太空设备一同推出；
➂ 该p沟道MOSFET型号为BUP06CP038F-01，采用DPAK（TO252）封装，额定连续电流为35A，单事件效应（SEE）为46MeV∙cm2/mg，总电离剂量（TID）为30至50krad（Si）。
➀ Infineon推出适用于低地球轨道太空应用的辐射耐受型p沟道塑料封装功率MOSFET；
➁ 该MOSFET为60V型号，与四种适用于60V或150V使用的n沟道太空设备一同推出；
➂ 该p沟道MOSFET型号为BUP06CP038F-01，采用DPAK（TO252）封装，额定连续电流为35A，单事件效应（SEE）为46MeV∙cm2/mg，总电离剂量（TID）为30至50krad（Si）。
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