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  • 中国制造的DDR5内存芯片使用较落后的芯片制造技术 —— 芯片面积比三星的DDR5大近40%

    tomshardware

    12/31/2024, 03:04 PM UTC

    ➀ 中国制造的DDR5内存芯片面积比三星的DDR5大近40%;➁ 由于使用了较落后的芯片制造技术,CXMT的16 Gb DDR5内存IC的芯片面积较大;➂ 由于芯片面积较大,CXMT的DDR5芯片的成本可能比美光、三星和SK海力士高。

    最近,据中国半导体研究人员的发现,中国内存制造商长鑫存储技术(CXMT)开始出货DDR5内存芯片。然而,由于使用了较落后的芯片制造技术,CXMT的16 Gb DDR5内存IC的芯片面积比竞争对手三星的芯片大40%,这意味着它的制造成本显著更高。当然,由于信息来自非官方来源,所以对此信息应持保留态度,但技术员确实在视频中拆解了DRAM模块,为这些发现提供了证据。

    CXMT的16 Gb DDR5芯片面积为68.06 mm^2,而现代三星的16 Gb DDR5芯片面积为48.90 mm^2。当美光、三星和SK海力士在2021年开始大规模生产16 Gb DDR5内存芯片时,其芯片面积从66.26 mm^2到72.21 mm^2不等(据TechInsights报道),但所有DRAM制造商的DDR5芯片面积随着时间的推移而缩小。

    CXMT的16 Gb DDR5芯片面积与领先内存制造商的第一代DDR5芯片相当。假设CXMT的良率与美光、三星和SK海力士在2021年的良率相当,那么CXMT的成本也与这些公司在四五年前相当。然而,CXMT的DDR5成本可能远高于美光、三星和SK海力士今天的成本,因此公司能否在价格方面与竞争对手竞争还有待观察。我们只能猜测CXMT是否会以大幅折扣销售其DDR5,以从竞争对手那里抢占市场份额。

    CXMT的DDR5内存芯片的相对较大的芯片面积还表明,该公司使用的工艺技术比竞争对手落后几年,这并不令人意外。尽管如此,CXMT的合作伙伴生产的DDR5-6000内存条表明,该公司DDR5 IC的性能潜力相当高。不过,就目前而言,领先的DRAM制造商在性能、功耗和成本效率方面仍然领先于CXMT。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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