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  • 新型DRAM+内存:结合DRAM性能与SSD存储能力,采用FeRAM技术

    tomshardware

    04/08/2025, 11:22 AM UTC

    ➀ 铁电存储器公司(FMC)与Neumonda正在德国重建DRAM+的生产。

    ➁ 新型DRAM+内存采用FeRAM技术,使用铪氧化物以实现非易失性和高容量。

    ➂ FMC的技术旨在提高能效和数据保留,同时保持DRAM性能。

    亲爱的听众,今天我们要聊一聊一种新型的内存技术——DRAM+。这种内存结合了DRAM的高速性能和SSD的存储能力,使用了一种叫做FeRAM的技术。

    FMC公司与Neumonda合作,在德国重新启动了DRAM+的生产。这种内存的核心是使用铪氧化物(HfO₂)的FeRAM技术,它能够在不耗电的情况下保留数据,同时保持了DRAM的高性能。

    传统的FeRAM技术使用铅锆酸钛(PZT)作为铁电层,但容量有限。而铪氧化物与CMOS工艺兼容,能够在10nm以下进行缩放,并且可以与现有的半导体制造工艺集成,这使得它能够实现更高的密度和性能,接近DRAM的水平。

    FMC公司的CEO托马斯·吕克斯(Thomas Rueckes)解释说,他们的技术可以将DRAM电容器转变为低功耗的非易失性存储设备,同时保持高DRAM性能,非常适合AI计算。

    Neumonda公司也将支持FMC,通过提供其先进的测试系统,如Rhinoe、Octopus和Raptor,这些平台旨在以低成本、节能和独立的方式测试内存。

    这两家公司的合作不仅推动了一种新型内存产品的开发,也为欧洲半导体能力的更广泛复兴奠定了基础。他们的目标是为高级内存设计和测试重建一个本地生态系统。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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