三星电子已经成功开发出其革命性的400层NAND技术，并准备进行大规模生产。

这项技术超越了SK海力士的321层NAND，使三星在NAND闪存技术领域处于领先地位。400层NAND预计将在2025年下半年开始量产，最早可能在2025年第二季度开始生产。三星在全球NAND闪存市场占有36.9%的市场份额。

三星已经开始将其新的先进技术转移到位于Pyeongtaek校园Plant 1的量产线，该生产线于上个月启动。据Business Korea的新报告，这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术业务的前沿。

三星计划在2025年2月在美国举行的国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其新的1TB 400层三阶单元（TLC）NAND。

这款新的1TB 400层TLC NAND预计将在2025年下半年开始量产，但一些行业专家预测，如果三星加快这一进程，生产可能最早在第二季度末开始。三星预计将在2025年增加其先进产品线的产量，同时安装新的第九代（286层）生产设施，在Pyeongtaek校园的月产能为3万至4万片晶圆。

三星在2013年成功推出3D NAND技术后，继传统平面（2D）NAND之后，3D NAND技术通过垂直堆叠存储单元来提高存储密度和效率。三星为400层NAND引入的“三堆叠”技术，将存储单元堆叠在三层，这是该领域的一大进步。

目前，三星在全球NAND闪存市场占有36.9%的市场份额，在今年的AI热潮中，尽管在HBM市场落后于SK海力士，但其即将推出的400层NAND技术的进步仍然令人兴奋。