俄罗斯近日公布了其自主研发EUV光刻机的路线图，旨在制造出比ASML系统成本更低、复杂度更低的设备。据CNews报道，这些光刻机将使用11.2纳米波长的激光，而非ASML标准使用的13.5纳米波长。

俄罗斯半导体项目的领导人是俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼科莱·奇哈洛。计划建造的EUV机器将在性能上具有竞争力，同时与ASML的EUV工具相比，降低制造和运营成本。

与ASML的EUV光刻系统不同，俄罗斯的EUV扫描仪将使用基于氙的激光光源，波长为11.2纳米，而非ASML的锡基系统。奇哈洛表示，11.2纳米的波长提供了20%的分辨率提升，允许更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。这种调整显著降低了光学元件的污染，延长了关键部件如集光器和保护膜的使用寿命。

俄罗斯的光刻机功率将低于ASML，由于使用3.6千瓦的光源，其吞吐量大约是2.7倍。然而，这种性能被认为足够用于小规模生产。

尽管11.2纳米仍处于极紫外光谱范围内，但这一转变并非微调。这意味着所有光学元件——如镜子、涂层、掩模设计和光刻胶——都必须专门设计和优化以适应新的波长。激光源、光刻胶化学、污染控制和其它支持技术也需重新设计以在11.2纳米下高效工作。

因此，基于11.2纳米的工具将无法与现有基于13.5纳米的EUV基础设施和生态系统直接兼容。实际上，甚至电子设计自动化工具也必须更新以适应11.2纳米的EUV激光器。尽管现有的EDA工具仍可处理基本步骤，如逻辑综合、布局和布线，但如掩模数据准备、光学邻近效应校正（OPC）和分辨率增强技术（RET）等光刻感知步骤需要重新校准或更新以适应新的工艺模型。

开发将分为三个阶段。第一阶段将专注于基础研究，确定关键技术，并测试初始组件。第二阶段将涉及创建一个原型，每小时可处理六十个200毫米晶圆，并将其集成到国内芯片生产线中。第三阶段的目标是交付一个工厂就绪的系统，每小时可处理六十个300毫米晶圆。目前尚不清楚新光刻工具将支持哪些工艺技术。路线图也没有规定完成这些阶段的时间表。