Recent #ASML news in the semiconductor industry
06/02/2025, 06:37 AM UTC
ASML新型芯片制造机“超级工厂”售价3.5亿美元，现已售罄Powered By Dell, The Future Of AI
1、ASML推出售价3.5亿美元的突破性High-NA EUV光刻机，旨在推动下一代芯片制造；2、该设备可加速先进芯片生产，有望彻底改变半导体制造效率；3、英特尔和台积电等主要客户已下单，英特尔计划2025年前应用该技术。05/20/2025, 11:21 AM UTC
台积电新芯片制造技术将采用ASML高数值孔径EUV光刻机Are The UK And EU Getting Back Together?
1、台积电计划于2026年在其A16芯片制造技术中采用ASML的高数值孔径EUV光刻机；2、该技术旨在提升芯片性能和能效，保持台积电的竞争优势；3、ASML的高数值孔径EUV设备对下一代芯片至关重要，但面临成本和生产复杂性的挑战。05/16/2025, 06:20 AM UTC
台积电发布A16芯片制造技术，借助ASML High-NA EUV光刻机超越竞争对手TLTW Has Delivered Great Results, But Risks Are Rising
1、台积电发布2026年量产的A16芯片制造技术，提升晶体管密度与能效；2、该技术采用ASML尖端High-NA EUV光刻机，性能超越英特尔、三星等竞争对手；3、A16旨在巩固台积电在AI与高性能计算领域先进制程的领先地位。05/08/2025, 10:48 AM UTC
ASML加速荷兰50个足球场规模超级园区扩建计划ASML accelerates 50-football-fields-size mega expansion plans in the Netherlands
➀ ASML宣布加速荷兰Brainport工业园扩建计划，目标从原定的2030年提前至2028年投入运营；
➁ 新园区面积达35.7万平方米（约50个足球场），毗邻埃因霍温机场，获荷兰政府17亿欧元资助，配套交通与能源设施升级；
➂ 扩建旨在缓解EUV光刻机产能瓶颈，但电网负荷、氮排放及土地收购问题仍待解决。
05/05/2025, 12:10 AM UTC
埃德的市场操纵术Ed The Manipulator
➀ 埃德通过散布虚假谣言操纵科技股股价，包括声称华为低成本EUV光刻机量产、英特尔18A和台积电A16工艺良率提升，以及DeepSeek低价克隆OpenAI产品；
➁ 他通过经纪人和分析师传播这些谣言，引发市场波动，从而从股价变动中获利；
➂ 埃德考虑将操纵手段扩展至科技领域之外，例如散布政客的谣言以影响更广泛的市场。
05/04/2025, 04:30 AM UTC
ASML新型芯片制造机售价3.8亿美元，物超所值Week Ahead: FOMC In No Hurry To Cut Rates While BOE Easing Set To Accelerate
1、ASML推出售价3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），提升芯片制造精度；2、该设备支持更小晶体管设计，提高芯片性能与能效；3、英特尔、台积电等巨头已采用该技术，推动下一代芯片研发。05/02/2025, 01:10 PM UTC
英特尔为14A工艺制定High-NA EUV备用方案，低数值孔径技术实现相同良率Intel hedges its bet for High-NA EUV with the 14A process node — an alternate Low-NA technique has identical yield and design rules
➀ 英特尔为14A工艺节点制定双轨策略：高数值孔径（High-NA）EUV与低数值孔径（Low-NA）EUV三重曝光技术并行，良率与设计规则完全兼容；
➁ High-NA EUV可减少40道工序以降低成本，但光刻胶、光掩模等配套技术仍需优化；
➂ 英特尔的备用方案吸取了10nm工艺教训，而台积电则对A14节点采用High-NA持观望态度。
04/27/2025, 04:05 AM UTC
台积电A16技术将于2026年采用ASML高数值孔径EUV光刻机Lam Research Q3: NAND Upgrade Cycle Drives Growth; Downgrade To 'Hold'
1、台积电计划于2026年在其A16芯片制造技术中采用ASML的高数值孔径EUV光刻机；2、A16技术通过背面供电设计提升能效与晶体管密度；3、此举将使台积电在先进制程领域与英特尔14A工艺展开竞争。04/26/2025, 10:51 AM UTC
ASML的困境：高数值孔径EUV与低数值孔径EUV多重曝光的对比ASML's Dilemma: High-NA EUV vs Low-NA EUV Multi-Patterning
➀ 分析了低数值孔径和高数值孔径EUV的成本模型，发现高数值孔径EUV单层曝光比现有低数值孔径机器的双层曝光更昂贵。
➁ 多层曝光的低数值孔径EUV可以比高数值孔径实现更细的线宽。
➂ 由于经济和技术障碍，ASML计划到2028年出货20台高数值孔径EUV工具的目标被认为是雄心勃勃且具有挑战性的。
➃ 高数值孔径的经济挑战比低数值孔径的经济挑战更严重，尽管技术挑战可能较小。
➄ 高数值孔径EUV的开发涉及妥协，包括半场缝合、焦深和光刻胶的技术挑战，以及与现有低数值孔径工具相比的成本挑战。
➅ 低数值孔径双层曝光被提出作为高数值孔径EUV的有力替代方案。
