在半导体行业迎来chiplet（小芯片）革命之际，英特尔Foveros 2.5D封装技术展现了三大突破性创新：首先，其36微米微凸点间距的面贴面连接技术，相比传统C4凸点缩小80%，实现了超过3,000根/mm²的互连密度，能够直接在晶圆级完成oxide-to-oxide分子键合，将die-to-die延迟控制在0.3pJ/b以下。

其次，Foveros通过base die（基础芯片）的TSV通孔设计，可堆叠4层有源芯片，支持包括CMOS、SOI、III-V族化合物在内的混合工艺集成。在实际测试中，这种3D堆叠方式使得LPDDR5X与CPU之间的数据传输带宽提升了4倍，功耗却降低了40%。

值得关注的是，Intel Foundry提供的三个技术分支：Foveros-S采用硅中介层实现单颗基板上多颗HBM与计算芯片的整合；Foveros-R通过3层重布线层(RDL)实现无中介层封装，将成本压缩30%；而Foveros-B则集成active bridge技术，为未来实现3D缓存分层和集成式电压调节模块奠定基础。

该技术与UCIe 1.1标准完全兼容，支持最高32GT/s的Adatper接口，通过改进的clock forwarding机制，在跨厂商chiplet集成时也能保持1.6Tbps/mm的互连带宽。结合EMIB技术形成的3.5D封装方案，可突破reticle limit至4倍，正在为下一代AI加速器构建支撑1024个chiplet的超大规模异构计算系统。