全球半导体产业迎来历史性时刻！荷兰光刻巨头ASML与韩国存储大厂SK海力士今日联合宣布，已在韩国利川的M16工厂完成首台商业化High-NA EUV光刻系统（型号NXE:5200B）的组装。这台价值数亿美元的尖端设备，将率先用于下一代DRAM技术的研发，为AI时代的高性能内存铺路。

与传统EUV设备（NA=0.33）相比，High-NA EUV的0.55数值孔径可实现8nm分辨率的图形化能力，单次曝光即可达成1.7倍晶体管微缩与2.9倍密度提升。这不仅大幅降低了多重曝光的复杂性和成本，更让SK海力士在存储技术竞赛中占据先发优势——其老对手三星和美光尚未获得此类设备。

SK海力士研发负责人车善勇表示，High-NA EUV是实现AI内存领导地位的核心筹码。通过快速原型开发，该公司计划在2030年代将技术导入量产，为高速增长的AI算力市场提供更先进的DRAM产品。ASML则强调，此举标志着半导体产业正式开启High-NA时代。

值得注意的是，这台设备虽然部署在量产产线，但短期内仍以研发验证为主。业内人士分析，High-NA EUV涉及的掩模版尺寸缩小、光刻胶适配等问题仍需突破，但此次合作无疑为半导体微缩之路指明了方向。在全球存储市场竞争白热化的当下，SK海力士能否借High-NA弯道超车，值得持续关注。