Kioxia发布第10代332层3D NAND闪存：性能提升33%
02/20/2025, 01:20 PM UTC
Kioxia发布第10代332层3D NAND闪存：比第8代产品快33%Kioxia's new 10th gen 332-layer 4.8 GB/s 3D NAND flash is 33% faster than its 8th gen ICs
奇氧公司发布了其第10代332层3D NAND闪存技术，相比第8代集成电路，性能提升了33%，同时增强了比特密度、接口速度和功耗效率。
新技术采用CMOS直接键合到阵列(CBA)和Toggle DDR6.0接口，实现了4.8 GB/s的NAND接口速度。
虽然322层的结构尚未达到公司到2027年实现1000层3D NAND的目标，但它仍然在比特密度上实现了59%的显著提升，并在功耗效率上有所改进。
Kioxia has unveiled its 10th generation 332-layer 3D NAND flash memory technology, offering up to 33% better performance and enhanced bit density, interface speeds, and power efficiency compared to its 8th generation ICs.
The new technology features a CMOS directly Bonded to Array (CBA) and Toggle DDR6.0 interface, enabling a 4.8 GB/s NAND interface speed.
While the 322-layer design is not yet at the company's goal of a 1,000-layer 3D NAND by 2027, it still represents a significant advancement in bit density by 59% and power efficiency improvements.
奇氧公司与闪迪合作，在国际固态电路会议（ISSCC）2025上发布了其第10代3D NAND闪存技术。这款新型闪存相比前代产品，在性能、比特密度、接口速度和功耗效率方面都有显著提升。
新技术采用CMOS直接键合到阵列（CBA）技术，将CMOS晶圆和单元阵列晶圆分别制造后进行键合。此外，采用了新的接口标准Toggle DDR6.0，实现了高达4.8 GB/s的NAND接口速度。
据奇氧公司称，新技术的速度比第8代技术快33%，部分原因是增加了内存层数，现在达到322层，比第8代的218层增加了38%。
尽管322层的结构距离公司2027年实现1000层3D NAND的目标还有一段距离，但仍然是一个令人印象深刻的成就。奇氧公司还声称，新的3D NAND在比特密度上提高了59%，并在功耗效率上有所改进。
此外，更新的NAND还采用了Power Isolated Low-Tapped Termination技术（PI-LTT），进一步降低了输入功耗10%和输出功耗34%。奇氧公司表示，关注功耗效率是响应人工智能技术的功耗需求。
奇氧公司首席技术官Hideshi Miyajima在新闻稿中表示：“随着人工智能技术的普及，预计生成数据量将显著增加，对现代数据中心提高功耗效率的需求也将增加。”
此外，奇氧公司和闪迪还分享了其第9代3D NAND闪存技术的计划，但尚未详细说明其功能。
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