SK海力士为NVIDIA Blackwell Ultra和AMD Instinct MI325X准备12-Hi HBM3E,引领下一代AI和HPC处理器
09/26/2024, 09:08 PM UTC
SK海力士为NVIDIA Blackwell Ultra和AMD Instinct MI325X准备12-Hi HBM3E,引领下一代AI和HPC处理器SK hynix preps for Nvidia Blackwell Ultra and AMD Instinct MI325X with 12-Hi HBM3E
➀ SK海力士已开始量产12-Hi HBM3E内存堆叠,为下一代AI和HPC处理器做好准备;➁ 新模块每个模块提供1.22 TB/s的峰值带宽,八个堆叠可达9.83 TB/s;➂ SK海力士是第一家量产12-Hi HBM3E内存的公司,计划在年底前为AMD的Instinct MI325X和NVIDIA的Blackwell Ultra发货。➀ SK hynix has started mass production of 12-Hi HBM3E memory stacks, setting the stage for next-generation AI and HPC processors; ➁ The new modules offer a peak bandwidth of 1.22 TB/s per module and a total of 9.83 TB/s with eight stacks; ➂ SK hynix is the first company to mass produce 12-Hi HBM3E memory, with plans to ship by the end of the year for AMD's Instinct MI325X and Nvidia's Blackwell Ultra.
SK海力士已经开始量产其12-Hi HBM3E内存堆叠,这是在其竞争对手之前的一个里程碑。这些新模块具有36GB的容量,为下一代AI和HPC处理器如AMD的Instinct MI325X和NVIDIA的Blackwell Ultra铺平了道路,前者预计将在第四季度推出,而后者预计将在明年下半年推出。
SK海力士的12-Hi 36GB HBM3E堆叠包含十二个3GB DRAM层,数据传输率为9.6 GT/s,从而为每个模块提供1.22 TB/s的峰值带宽。使用该公司12-Hi 36GB HBM3E堆叠的内存子系统将提供高达9.83 TB/s的峰值带宽。尽管实际产品不太可能以全速使用这些HBM3E内存设备,因为开发者倾向于确保最高的可靠性,但我们不怀疑HBM3E内存子系统将比其前辈提供更高的性能。
尽管包含50%更多的内存设备,但新的12-Hi HBM3E内存堆叠具有与8-Hi前辈相同的z高度。为了实现这一点,SK海力士将DRAM设备做得薄了40%。此外,为了避免使用超薄垂直堆叠的DRAM(通过硅通孔TSVs互连)而产生的结构问题,制造商使用了其批量回流塑封底填料(MR-MUF)工艺,该工艺一次将晶圆粘合在一起,并用称为液体环氧塑封复合材料的改进底填料填充它们之间的空间。作为额外的优势,EMC还具有更好的热导率。
SK海力士是第一家开始量产12-Hi HBM3E内存的公司。虽然三星今年早些时候正式推出了其12-Hi 36GB HBM3E堆叠,但尚未开始量产这些产品。美光正在对生产就绪的12-Hi HBM3E设备进行采样,但尚未开始这些内存堆叠的大规模生产。
SK海力士计划在年底前发货其12-Hi 36GB HBM3E内存堆叠,以便为AMD的Instinct MI325X加速器发货,该加速器将携带244GB的HBM3E内存,并在NVIDIA打算开始发货其用于AI和HPC应用的Blackwell Ultra GPU之前几个季度发货。
“SK海力士再次突破了技术限制,证明了我们在AI内存行业的领导地位,”SK海力士AI基础设施部门总裁(首席执行官)Justin Kim表示。“随着我们稳步准备下一代内存产品以克服AI时代的挑战,我们将继续作为全球领先的AI内存提供商。”
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