英特尔×软银：如何用革命性堆叠DRAM撼动HBM霸权？
06/01/2025, 12:08 PM UTC
英特尔与软银合作开发面向AI数据中心的低功耗HBM替代方案，预计2027年推出原型Intel and SoftBank collaborate on power-efficient HBM substitute for AI data centers, says report
➀ 英特尔与软银成立合资公司Saimemory，基于3D堆叠DRAM技术研发低功耗HBM替代方案，目标将AI数据中心内存功耗降低50%；
➁ 整合东京大学等日本学术专利，计划2027年完成原型验证，2030年前实现商业化量产；
➂ 日本试图通过该技术打破韩美企业HBM垄断，重塑其沉寂20余年的存储芯片产业版图。
➀ Intel and SoftBank established a joint venture 'Saimemory' to develop a stacked DRAM solution aimed at replacing HBM, targeting a 50% reduction in power consumption for AI data centers;
➁ The technology leverages Intel's patents and Japanese academic research, with prototype validation by 2027 and commercialization before 2030;
➂ Japan aims to re-enter the global memory chip market after two decades, competing with current HBM leaders Samsung, SK Hynix, and Micron.
在AI算力需求暴涨的2025年，HBM内存的高功耗和产能瓶颈正成为数据中心运营商的痛中之痛。就在此刻，芯片巨头英特尔与软银突然联手，向这个价值百亿美元的市场投下一枚深水炸弹。
据《日经亚洲》报道，双方合资成立的Saimemory公司正秘密研发一种基于3D堆叠DRAM的「HBM杀手」。通过改进芯片内部布线架构，这项技术可将内存模组功耗直接砍半。东京大学教授评价其设计「如同在微观尺度修建立体高架桥」，大幅优化了信号传输效率。
有趣的是，这不仅仅是技术层面的突破。作为日本政府＂半导体复兴计划＂的重要一环，该项目标志着日本自90年代被韩企击溃后，首次实质性重返存储芯片战场。当被问及战略布局，软银高层直言：「我们要让日本制造的存储芯片再次点亮全球数据中心。」
评论认为，这场豪赌背后是AI时代对能效的极致追求。目前全球90%的HBM产能掌握在三大韩美企业手中，过高的行业集中度已让科技巨头们如坐针毡。若英特尔和软银能兑现承诺，2027年问世的堆叠DRAM或将掀起新一轮内存技术革命。
不过业内人士也指出潜在风险：三星去年已公布3D DRAM路线图，NEO半导体的X-DRAM技术同样来势汹汹。这场内存界的「三维战争」胜负如何，还要看Saimemory能否在良品率和成本控制上创造奇迹。
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