在AI算力需求暴涨的2025年，HBM内存的高功耗和产能瓶颈正成为数据中心运营商的痛中之痛。就在此刻，芯片巨头英特尔与软银突然联手，向这个价值百亿美元的市场投下一枚深水炸弹。

据《日经亚洲》报道，双方合资成立的Saimemory公司正秘密研发一种基于3D堆叠DRAM的「HBM杀手」。通过改进芯片内部布线架构，这项技术可将内存模组功耗直接砍半。东京大学教授评价其设计「如同在微观尺度修建立体高架桥」，大幅优化了信号传输效率。

有趣的是，这不仅仅是技术层面的突破。作为日本政府＂半导体复兴计划＂的重要一环，该项目标志着日本自90年代被韩企击溃后，首次实质性重返存储芯片战场。当被问及战略布局，软银高层直言：「我们要让日本制造的存储芯片再次点亮全球数据中心。」

评论认为，这场豪赌背后是AI时代对能效的极致追求。目前全球90%的HBM产能掌握在三大韩美企业手中，过高的行业集中度已让科技巨头们如坐针毡。若英特尔和软银能兑现承诺，2027年问世的堆叠DRAM或将掀起新一轮内存技术革命。

不过业内人士也指出潜在风险：三星去年已公布3D DRAM路线图，NEO半导体的X-DRAM技术同样来势汹汹。这场内存界的「三维战争」胜负如何，还要看Saimemory能否在良品率和成本控制上创造奇迹。