2000年代初，半导体产业面临重大危机。随着制程工艺突破90nm节点，传统平面晶体管的短沟道效应导致漏电流暴增，动态功耗与漏电功耗几乎持平。加州大学伯克利分校教授胡正明带领团队提出革命性的FinFET结构——通过将晶体管通道竖立为三维「鳍片」，使栅极实现三面包裹，此举使栅极对电流的控制力提升5倍，漏电流减少至万分之一。

2011年，英特尔在22nm制程的Ivy Bridge处理器中首次商用FinFET技术，与32nm平面晶体管相比，相同功耗下性能提升37%，或相同性能下功耗降低50%。台积电随后在16nm制程采用FinFET，其7nm工艺的A12仿生芯片晶体管密度达9000万/mm²，为AI计算提供硬件基础。2023年，3nm FinFET工艺更将密度推升至2亿/mm²。

FinFET不仅带来技术突破，更重塑了半导体经济格局。数据显示，全球半导体市场规模从2010年的3000亿美元跃升至2024年的6000亿美元，FinFET支撑的移动芯片、HPC加速器贡献显著。胡正明因此获得2016年IEEE荣誉勋章，其创新思路为后续GAA晶体管、2D材料研发奠定基础，证明了通过架构创新突破物理限制的可能性。

如今，随着制程逼近1nm，业界正探索环栅（GAA）和垂直堆叠技术。但FinFET作为承前启后的关键创新，在解决短沟道效应、功耗矛盾方面仍将长期影响半导体发展路径，持续验证着摩尔定律的生命力。