在SPIE蒙特雷会议上，ASML和英特尔展示了高数值孔径（High NA）EUV技术的最新进展。以下是会议的关键内容：

ASML的新CEO，克里斯托夫·富凯的讲话：

富凯在开幕式/主题演讲中重点介绍了高数值孔径EUV，强调其不会像原始EUV推出时那样出现任何延迟。高数值孔径被视为EUV的“升级”，而非全新产品，因此预期其推出和采用将会相对迅速。

掩模尺寸加倍：

英特尔去年在SPIE会议上首次认真提出了将掩模尺寸从6英寸×6英寸增加到6英寸×12英寸的想法。今年会议上有许多公司加入了这一努力，其中最重要的是ASML，它支持这一变化，并称其是行业的“不二选择”。

英特尔的高数值孔径系统：

英特尔已经在俄勒冈州的波特兰安装了两个工作的高数值孔径系统。英特尔表示，所有高数值孔径所需的基础设施已经到位并运行良好，因此将很快投入生产。

台积电的犹豫不决：

与对原始EUV推出的快速拥抱相比，台积电对高数值孔径技术的采用较为缓慢，以成本为理由。但预计台积电不会坚持太久，特别是在英特尔开始在高数值孔径工具上取得领先时。

对半导体行业的影响：

会议被视为对高数值孔径EUV推出和摩尔定律整体技术进步的明显积极影响。对英特尔和ASML来说都是积极的，尤其是对英特尔来说，它需要所有可能的技术胜利，而高数值孔径可能是行业目前正在经历的最关键的技术变革。