02/28/2025, 02:20 PM UTC
适用于高功率应用的650V氮化镓高电子迁移率晶体管650V GaN HEMT For High-Power Applications
<p>➀ ROHM公司推出了一款采用紧凑且高效散热TOLL封装的650V氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）。</p><p>➁ 该产品适合用于工业自动化、汽车、电信及可再生能源等行业中的工程师和制造商。</p><p>➂ 新一代GaN-on-Si芯片实现了行业领先的ON电阻和输出电荷性能，有助于提高系统的微型化和能源效率。</p><p>➀ ROHM公司推出了650V氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），采用紧凑且具有高效散热特性的TOLL封装。</p><p>➁ 该产品适用于工业自动化、汽车、电信和可再生能源等行业中的工程师和制造商。</p><p>➂ 新一代GaN-on-Si芯片实现了行业领先的ON电阻和输出电荷性能，有助于提高系统的小型化和能效。</p>
---
本文由大语言模型（LLM）生成，旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展（Beta）。
