04/14/2025, 05:14 AM UTC
IQE与X-FAB合作开发GaN功率器件平台IQE and X-Fab hook up for GaN
➀ IQE与X-FAB签署了一项联合开发协议（JDA），旨在创建一个基于欧洲的GaN功率器件平台解决方案；
➁ 该协议为期两年，双方将合作开发650V GaN器件；
➂ 该协议将利用IQE的GaN外延设计和工艺专长以及X-FAB的技术开发能力和器件制造能力，为汽车、数据中心和消费应用提供优化的技术-衬底组合。
➀ IQE和X-FAB签署了一项联合开发协议（JDA），旨在创建一个基于欧洲的GaN功率器件平台解决方案；
➁ 该协议为期两年，双方将合作开发650V GaN器件；
➂ 该协议将利用IQE的GaN外延设计和工艺专长以及X-FAB的技术开发能力和器件制造能力，为汽车、数据中心和消费应用提供优化的技术-衬底组合。
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