在EUV光刻技术中，随机缺陷是影响图案质量的关键因素。这些缺陷在曝光剂量的‘悬崖’处增加，即在曝光的上下限处缺陷密度呈指数增长。这种情况下，增加的剂量会导致抗蚀剂厚度减少，这是由于氢诱导的蚀刻，这对抗蚀剂性能和缺陷率有影响。

为了解决这个问题，研究人员发现存在一个最佳入射剂量范围，其中剩余抗蚀剂中吸收的剂量达到最大值，从而最小化随机缺陷的风险。这一发现对于EUV光刻技术的发展具有重要意义。

此外，金属氧化物抗蚀剂被认为是下一代EUV抗蚀剂的希望，但由于其初始厚度较薄，并且在使用过程中会进一步减薄，因此其优势受到了一定程度的削弱。因此，寻找合适的抗蚀剂需要不仅具备足够的吸收能力，还需要在EUV氢等离子体曝光后保持足够的抗蚀剂剩余量。

总之，EUV光刻技术中的随机缺陷是一个复杂的问题，需要通过深入研究抗蚀剂损耗模型来克服。这不仅有助于提高EUV光刻的图案质量，也为未来光刻技术的发展提供了新的思路。