台积电（TSMC）计划在美国生产其30%的N2（2nm级）产能，并将亚利桑那州的第21厂打造成为一个独立的半导体制造集群。这一消息是在公司周四的收益电话会议中由台积电的首席执行官兼董事长魏哲家透露的。

台积电还表示，将加快建设新的第21厂模块，以生产N3（3nm级）、N2和A16（1.6nm级）节点的芯片。完成建设后，约30%的2nm及更先进产能将位于亚利桑那州，这将在美国建立一个独立的前沿半导体制造集群。

为了在美国生产30%的N2和A16产能，台积电将建设两个额外的第21厂模块。到目前为止，公司已经确认计划在台湾的新竹和高雄科学园区建设至少三个具有N2和A16能力的厂区模块，并将有更多模块跟进，因此该岛仍将生产台积电先进芯片的大部分。

然而，台积电在美国生产的30%的N2和A16芯片无疑是一个大事件。亚利桑那州的第21厂模块1目前正在使用公司的N4和N5工艺技术为美国客户增加芯片的量产。公司N3能力的第21厂模块2（其在亚利桑那州的第二个制造厂）的建设已完成，公司正在努力提前安装设备，以期将该厂区的芯片量产提前至少两个季度。

预计第21厂模块3和模块4的建设——将使用N2和A16节点的设施——将在今年晚些时候开始，前提是获得所有必要的许可。台积电没有透露这些第21厂模块的日程安排，但假设台积电能够按时获得所有必要的设备，至少有一个它们将在2029年初投产。

第21厂模块5和模块6将使用超过A16（想象A14甚至更先进）的工艺技术，但它们的 construction timelines 和量产速度将取决于未来的客户需求。台积电为第21厂的大规模计划是将它发展成为一个月产量至少10万片晶圆的GigaFab集群，但具体何时实现还有待观察。

魏哲家补充说：“我们的扩张计划将使台积电能够扩展到GigaFab集群，以满足我们领先的智能手机、AI和HPC应用客户的需求。”