当整个AI行业仍在为高带宽内存（HBM）的供给问题焦头烂额时，存储巨头SanDisk与SK海力士联手打出了一张「闪存王牌」。

近日，两大厂商宣布合作开发全新「高带宽闪存」（HBF）标准，将NAND闪存与传统HBM架构融合。这种创新设计在保持12TB/s级别带宽的同时，一举突破传统DRAM的容量限幅——每颗封装芯片的存储能力可达HBM的8-16倍！更关键的是，NAND的非易失性特性，让数据中心不用再为「掉电丢数据」发愁，散热成本也有望降低30%以上。

技术深度｜刀尖上的舞蹈
SanDisk在2025闪存峰会展出的HBF原型，采用其独家的BiCS NAND与晶圆键合技术（CBA），通过3D堆叠实现了闪存层与逻辑层的精密互联。这种设计巧妙避开了NAND传统的高延迟短板——就像在高速公路上设置专用应急车道，让关键数据包能绕过拥堵路段直达处理核心。

行业暗战｜谁在改写游戏规则？
三星的PBSSD、SK海力士下一代HBM4、英特尔前图形架构师Raja Koduri的秘密项目...当所有玩家都在寻找HBM替代方案时，HBF可能率先撞线。笔者预测，当2027年相关AI加速器面世时，单卡千亿参数模型推理的门槛或将降低60%，这波技术红利注定改写AI硬件产业的版图。

不过，技术落地仍面临挑战：HBF要在高频信号完整性与闪存擦写寿命间找到平衡点，这需要EDA工具的全新支持。值得关注的是，芯华章等国内企业已开始布局3D IC验证工具，国产替代方案或为这场记忆体革命增添变数。