深入了解3D QLC NAND技术及其应用
07/05/2024, 01:00 PM UTC
铠侠高性能3D QLC NAND助力高端大容量SSDKioxia's High-Performance 3D QLC NAND Enables High-End High-Capacity SSDs
1、铠侠推出1 Tb和2 Tb的3D QLC NAND设备，接口速度达到3600 MT/s。2、这些新设备具有238个活动层和CMOS直接键合到阵列（CBA）设计。3、铠侠的2 Tb 3D QLC NAND提供70%的写入功率效率提升，适用于AI和大容量存储应用。1. Kioxia introduces 1 Tb and 2 Tb 3D QLC NAND devices with a 3600 MT/s interface speed. 2. The new NAND devices feature 238 active layers and CMOS directly Bonded to Array (CBA) design. 3. Kioxia's 2 Tb 3D QLC NAND offers 70% higher write power efficiency and is suitable for AI and large storage applications.3D QLC NAND技术是存储领域的一项重要创新，它通过增加存储层的数量来提高存储密度，从而实现更大容量的存储设备。铠侠的BICS 8工艺技术和CBA设计进一步提升了这一技术的性能，使其能够支持高达3600 MT/s 的接口速度。这种高速度和高密度的结合，使得3D QLC NAND不仅适用于数据中心的高效能存储需求，也适用于AI等需要大量数据处理的领域。此外，3D QLC NAND的低功耗特性也使其成为移动设备和便携式存储解决方案的理想选择。随着技术的不断进步，我们可以期待3D QLC NAND在未来存储市场中的广泛应用。---
本文由大语言模型（LLM）生成，旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展（Beta）。
