Finwave半导体CEO皮埃尔-伊夫·莱斯夏雷访谈：聚焦GaN-on-Si技术与市场拓展
03/11/2025, 05:00 PM UTC
Finwave半导体CEO皮埃尔-伊夫·莱斯夏雷访谈：聚焦GaN-on-Si技术与市场拓展CEO Interview with Pierre-Yves Lesaicherre of Finwave CEO
➀ Finwave半导体首席执行官皮埃尔-伊夫·莱斯夏雷分享了他在半导体行业的丰富经验以及他在Finwave的领导角色。
➁ 强调了公司与全球领先的代工厂GlobalFoundries在GaN-on-Si技术发展及许可方面的战略合作伙伴关系。
➂ 莱萨夏雷讨论了引入新技术所面临的挑战以及公司为高频射频通信提供的解决方案。
➀ Finwave Semiconductor CEO Pierre-Yves Lesaicherre discusses his extensive experience in the semiconductor industry and his leadership at Finwave.
➁ The company's strategic partnership with GlobalFoundries for GaN-on-Si technology development and licensing is highlighted.
➂ Lesaicherre addresses the challenges of introducing new technology and the company's solutions for high-frequency RF communications.
Finwave半导体首席执行官皮埃尔-伊夫·莱斯夏雷拥有近40年的半导体行业经验，曾在法国、日本和美国工作，并在硅谷度过了27年。
Finwave半导体是一家无晶圆厂半导体公司，基于MIT 的研究，开发和商业化专有的GaN-on-Si技术，针对射频通信市场。
2024年，Finwave半导体与全球领先的专用代工厂GlobalFoundries签署了一项战略技术发展和许可协议，合并了Finwave的尖端GaN-on-Si技术与GlobalFoundries的高容量制造能力。
莱斯夏雷提到，公司面临的最大挑战是客户对新技术的接受度。为了解决这一挑战，Finwave正在与分销商合作，将创新产品推向尽可能多的客户。
展望2025年，莱斯夏雷认为，射频通信领域架构的持续演变将推动多天线在电信基础设施中的应用，这将加速GaN-on-Si技术的采用。
Finwave半导体计划在2025年通过其高功率RF开关和高压GaN-on-Si射频功率放大器产品实现增长。
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