近日，存储巨头铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）正式启动第九代BiCS闪存样片供应。这款采用「混元架构」的3D NAND闪光存储器，成功将成熟的112层BiCS5单元与现代CBD+键合技术相结合，犹如为传统工艺注入智能新生命。

通过独特的CMOS键合阵列技术，BiCS9实现了逻辑电路与存储单元的「异质整合」。这种突破性设计不仅带来了高达3.6Gb/s的DDR6.0传输速率（实验室峰值4.8Gb/s），更使得8%的位密度提升成为可能。实测数据显示，其写入性能较前代提升61%，读取加快12%，能效指标更实现36%的跨越式突破。

评论视角：在三星、美光竞逐300+层堆叠的军备竞赛中，铠侠选择了一条「务实创新」之路。通过「旧瓶装新酒」的混搭策略，不仅缩短了研发周期，更为AI数据中心提供了高性价比的存储方案。这种「过渡性创新」或将重新定义行业竞争格局。

值得注意的是，BiCS9的推出为后续332层BiCS10量产铺路。在当前AI算力爆发背景下，这种能快速量产的「过渡方案」正切中企业级市场对高性能低延时存储的迫切需求。正如分析师所言：「在AI算力饥渴症面前，每一纳秒的存储延迟都意味着机会成本的流失。」