西门子数字化工业软件近期宣布其Tessent MemoryBIST解决方案新增对嵌入式非易失性随机存储器（NVRAM）的全面支持。这项技术突破主要针对AI芯片和先进制程节点日益增长的测试需求，特别是MRAM（磁性随机存储器）等新型存储介质的特性。

Tessent MemoryBIST采用独特的层次化架构，支持从单个存储核心到系统级的全路径测试。通过符合IJTAG 1687-2014标准的访问网络，该平台可配置控制器提供1GHz级的高速测试向量生成能力，支持包括多端口配置在内的各类存储接口。在NVRAM应用场景中，系统新增了针对校准流程的自动化支持，特别是MRAM所需的磁性修调（trimming）序列，这解决了传统测试方法在先进工艺节点上的适配难题。

值得关注的是，该平台还实现了对2.5D/3D封装存储芯片的测试支持。通过创新的分层测试策略，工程师可以对堆叠式存储芯片进行独立测试，同时与逻辑芯片的BIST架构进行深度协同。这种设计显著提升了HBM等先进存储方案的产品良率，并通过eFuse全局管理系统实现缺陷单元的现场修复。