Synopsis，作为半导体设计自动化领域的领导者，正在通过其灵活的IP编译器解决方案引领嵌入式内存技术的发展。随着人工智能、物联网和自动驾驶等新兴技术的不断推进，下一代半导体技术面临着前所未有的挑战。这些系统需要更快的处理速度、更高的密度以及更低的延迟，同时还要在降低功耗和热特性方面取得突破。

嵌入式非易失性内存（NVRAM）已成为这些技术进步的核心。传统的闪存已经不足以应对现代非易失性存储的需求。例如，在应用需求不断增长的情况下，当工艺节点缩小到28纳米以下时，闪存的性能开始显得不足。为了实现大规模的数据收集、传输、存储和分析，需要一种新的方法。于是，两种新兴的内存技术——磁阻随机存取存储器（MRAM）和电阻式随机存取存储器（RRAM）开始崭露头角。

MRAM提供了更高的可靠性和优越的功率、性能和面积（PPA），即使在极端环境中也是如此。最初，MRAM是为航空航天应用而开发的，它利用可调磁层来最大化存储密度。其卓越的功率和性能特性使其成为需要最高水平可靠性和数据完整性的应用的理想选择。

MRAM技术对于需要空中软件更新的车辆尤其有用。然而，这种技术对强磁场敏感，这可能需要在某些环境中进行物理放置限制或屏蔽，从而为某些应用增加了复杂性。

相比之下，RRAM仍处于市场认知和采用的早期阶段。这项技术使用介电层来存储数据，不受磁场的影响，但在极端环境中可靠性较低。低成本、低能耗结合高密度和可扩展性使RRAM成为物联网设备、可穿戴设备、室内传感器和其他需要成本、功率和空间效率的应用的理想选择。RRAM也用于汽车应用，其中环境条件可以得到管理。

每种技术都有其独特的优势，设计团队需要全面访问每种技术，才能找到最佳解决方案。这就是Synopsis通过其灵活的基于IP的编译器解决方案引领嵌入式内存未来的所在。

Synopsis的IP编译器解决方案可以简化MRAM和RRAM的集成。大多数供应商只提供有限的固定宏选项。而Synopsis提供的基于IP的编译器解决方案则提供了全面且可配置的选择，允许设计团队即时构建广泛的宏，并精确匹配内存大小和纵横比与MCU要求。

例如，MRAM编译器非常适合具有简化电源要求、内置自检（BIST）和修复以及纠错码（ECC）的新应用。除了加速系统级芯片（SoC）的集成和上市时间外，它还解决了AI应用对可靠、经济高效、高效内存日益增长的需求。