在非易失性存储器（NVM）领域，闪存一直是主流技术，但随着技术的发展，闪存在功耗、速度、耐久性和成本等方面遇到了瓶颈。此外，闪存技术在28nm以下节点上的可扩展性也面临挑战。这为需要嵌入式NVM的应用，如AI推理引擎，带来了问题。 ReRAM（电阻式随机存取存储器）作为一种新兴的存储技术，正逐渐成为解决这些问题的首选方案。Weebit Nano公司正是在这一变革中扮演着关键角色。在最近的TSMC技术研讨会上，ReRAM技术受到了广泛关注。TSMC在其嵌入式NVM的演讲中提到，ReRAM是一种优秀的eFlash替代品，具有良好的可扩展性。 根据Tech Insights的报道，Nordic Semi的新款蓝牙5.4 SoC已集成12 Mb的嵌入式ReRAM。这表明ReRAM在机器学习设计中具有巨大潜力。此外，Yole Group预测，到2028年，新兴的嵌入式非易失性存储器市场将达到约27亿美元。Infineon的AURIX TC4 MCU就是一个例子，它采用了20 MB的非易失性电阻存储器，并由TSMC在28nm工艺中制造。 Weebit Nano不仅与TSMC合作，还与DB HiTek和GlobalFoundries等其他代工厂合作，展示了其ReRAM技术在多个工艺节点上的应用。最近，Weebit Nano与Efabless合作，在SkyWater的130nm CMOS（S130）工艺上开展工作，这使得使用Weebit技术的智能设备原型设计变得更加快速和简便。 ReRAM技术有望改变许多应用的游戏规则。如果您在下一个项目中需要嵌入式非易失性存储器，不妨了解一下Weebit Nano的技术。Weebit Nano正处于ReRAM革命的中心，加入这一变革，共同推动技术进步。