在旧金山举行的70届IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，台积电执行副总裁兼联合首席运营官Mii Yuh-Jier博士发表了令人瞩目的主题演讲，探讨了半导体行业的发展，特别是人工智能的影响，并预测到2030年行业营收将达到一万亿美元。

Mii博士首先通过一段简短但引人入胜的视频概述了半导体行业的一些创新，特别是台积电在其中的贡献。这些创新推动了近未来万亿晶体管系统的开发。这些趋势在本文开头所展示的图形中得到了总结。

Mii博士在其演讲中提到了五个关键领域。首先，他谈到了半导体行业和市场的展望，指出人工智能将在行业增长中扮演关键角色，预计到2030年行业营收将达到一万亿美元。他预测高性能计算将贡献其中的40%，移动30%，汽车15%，物联网10%。他讨论了人工智能技术在众多产品和市场中的普及。生成式人工智能和大型语言模型正在推动这一增长，而这些新应用和相关的训练所需的模型复杂性也带来了新的挑战。

接下来，Mii博士讨论了先进逻辑技术，描述了行业从平面器件到FinFET再到2nm全环绕栅极器件的纳米片技术的转变。他还提到了光刻技术的进步，从浸没式光刻到极紫外光（EUV）和多图案EUV。设计技术协同优化（DTCO）也帮助技术达到了新的水平。

Mii博士接着讨论了逻辑技术前沿，从FinFET到纳米片FET再到垂直堆叠的互补或CFET架构的演变。他解释说，与纳米片器件相比，CFET方法有望继续实现摩尔定律的扩展，其密度提高了1.5-2倍。他还描述了台积电为实现CFET所做的努力。在今年的IEDM上，台积电展示了第一个也是最小的48nm间距的CFET反相器。

Mii博士解释说，除了CFET之外，对更高性能和更节能的逻辑技术的持续追求需要加速寻找超越基于硅的通道材料。他解释说，碳纳米管（CNT）和过渡金属二硫化物（TMD）因其物理和电子特性而受到广泛关注。在互连领域，他讨论了一种新的二维材料，它被探索为铜的更优越替代品。这种材料在减薄的厚度下显示出比铜更低的薄膜电阻率，有助于减轻线电阻增加，并提高整体性能。

Mii博士接着讨论了系统集成技术。他表示，推动2D技术扩展以实现更好的晶体管和更高的单晶片集成SoC的封装密度非常重要，同时，芯片级以上的创新也非常重要，以将集成扩展到异构领域。

他解释说，先进的硅堆叠和封装技术，包括SoIC、InFO和CoWoS®，正在积极缩小芯片到芯片互连间距，有望将3D互连密度提高六个数量级。这些趋势在下面的图形中得到了总结。

Mii博士还讨论了一种新兴的系统级晶圆（SoW）技术，其中整个系统的所有芯片和HBM内存可以直接集成在12英寸晶圆上。他解释说，这种方法与目前最先进的数据中心AI加速器相比，可以提高40倍的计算能力。他还讨论了光学互连，它比铜互连提供20倍更高的功率效率。逻辑和光收发器的垂直堆叠将有助于实现这些改进。

Mii博士最后讨论了专业技术。许多讨论的项目都是高频或模拟的，以适应数字和模拟（真实）世界之间的接口。他讨论了从N16到N4的创新，以适应新的WiFi标准的增加需求。

Mii博士总结说，半导体创新，包括器件技术、系统级扩展和客户特定的设计生态系统的进步，将在人工智能时代推动快速技术进步中发挥关键作用。他指出，台积电正在积极探索下一代技术、系统集成平台和设计生态系统的创新。这些努力对于满足未来几十年对节能、数据密集型计算的需求至关重要。他邀请听众加入这一重要的合作。