电子束探测：7nm以下集成电路安全分析的新守护者
10/15/2024, 05:00 PM UTC
电子束探测：7nm以下集成电路安全分析的新守护者Electron Beam Probing: The New Sheriff in Town for Security Analyzing of Sub- 7nm ICs with Backside PDN
➀ 电子束探测（EBP）已成为分析7nm以下集成电路安全性的有效方法。 ➁ 它比光学探测具有更高的空间分辨率，适用于7nm以下的倒装芯片和先进的三维架构。 ➂ 研究重点在于EBP在故障分析和硬件保证中的重要性。➀ Electron Beam Probing (EBP) has become a powerful method for security analyzing of sub-7nm ICs. ➁ It offers better spatial resolution than optical probing and is suitable for sub-7nm flip-chips and advanced 3D architectures. ➂ The research focuses on the importance of EBP in failure analysis and hardware assurance.随着集成电路制造技术的不断发展，7nm以下的芯片越来越容易受到硬件安全威胁，如逆向工程、硬件木马植入和背面非接触式探测等。为了应对这些威胁，物理检测技术不断进步，以调试7nm以下先进技术节点上的系统芯片（SoC）或异构集成（HI）封装。
然而，这些先进检测技术也可能被恶意攻击者用来挖掘知识产权、密钥和内存内容。电子束探测 （EBP）作为一种强大的方法，在图1中展示了其优势，它比光学探测具有20倍以上的空间分辨率，适用于7nm以下的倒装芯片和先进的3D架构系统。
本文旨在强调EBP在7nm甚至以下节点的重要性，并探讨其在故障分析和硬件保证中的应用。研究指出，传统的物理检测技术，如光学检测，在低纳米级别上无法满足所需的分辨率。背面EBP提供了与90年代正面EBP相同的所有优势，如快速信号获取、线性VDD信号缩放和优异的信噪比。
此外，研究还强调了开发有效对策以保护先进节点技术上的敏感信息的重要性。因此，必须制定有效对策来保护这些敏感信息。
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