Numem高管深度解析：如何用智能内存技术重构AI计算生态
05/04/2025, 09:00 PM UTC
专访Numem市场与业务发展高级总监Motomori Koji：新一代内存技术如何突破AI计算瓶颈Executive Interview with Koji Motomori, Senior Director of Marketing and Business Development at Numem
➀ Numem推出的NuRAM智能存储器融合SRAM/DRAM优势，提供3倍于HBM的带宽及SRAM的1/200待机功耗；
➁ 该技术破解AI系统中的电源效率瓶颈，适用于数据中心/自动驾驶/边缘计算等多场景内存架构优化；
➂ 正在研发的第二代集成芯片带宽将达10,000GB/s，智能内存子系统可动态匹配LLM工作负载。
➀ Numem's NuRAM SmartMem™ merges SRAM/DRAM advantages with 3x HBM bandwidth and 200x lower standby power than SRAM；
➁ The tech addresses critical challenges in AI systems including power efficiency bottlenecks and memory architecture limitations across data centers, automotive, and edge devices；
➂ Upcoming innovations include 2nd-gen chiplets with 10,000GB/s bandwidth and adaptive memory subsystems for LLM optimization.
在与Numem市场战略负责人Motomori Koji的独家对话中，这家深耕存储技术30年的公司首次披露了其突破性产品NuRAM SmartMem™的技术细节。该技术通过独特的磁阻随机存储器（MRAM）架构，创造性融合了SRAM的高速读取（14ns@1GHz）与DRAM的动态写入特性，同时具备Flash的非挥发性，在28nm工艺节点下实现2.5倍于传统SRAM的存储密度。
针对AI计算场景，NuRAM展现出革命性优势：其芯片内带宽达到24TB/s，较HBM3E提升超300%；待机功耗0.2μW/MB，较SRAM降低200倍。在边缘计算领域，该技术支持0.5V超低电压运行，可将智能摄像头续航延长至18个月。Motomori特别指出，其采用的bank级电源管理技术实现各存储区块独立供电，使得大型语言模型推理时的有效功耗降低57%。
在技术路线图上，Numem计划于2025年底量产首款Chiplet产品，采用台积电N5P工艺的2.5D封装方案，单片集成48GB容量。值得注意的是，其第二代芯片将引入类脑计算架构，通过128个可重构内存计算单元（RCU）实现存算一体，预计可提升transformer模型推理速度达8倍。目前该技术已与多家自动驾驶芯片厂商展开联合开发，目标2026年实现车规级量产。
面对行业竞争，Numem正构建多维技术壁垒：其专利的垂直磁隧道结（pMTJ）结构将数据保持时间提升至10年@150℃，同时在40nm工艺节点实现业界首个8层3D堆叠存储阵列。这种架构创新使得NuRAM在相同芯片面积下存储密度达到SRAM的4倍，为下一代万亿参数大模型训练提供了高性价比的片上存储解决方案。
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