随着物联网、图像传感器、光子学和3DIC等新兴技术的快速发展，半导体行业正经历着快速演变。这种增长极大地增加了集成电路（IC）设计的复杂性。其中一方面就是采用非常规、非曼哈顿布局结构来实现最佳的功能和性能。

例如，3DIC设计允许设计师将架构分解成更小的芯片片段，这些片段集成在一个单独的封装中，提供更高的集成密度、更快的互连速度、更低的功耗、更高的带宽数据移动、更好的热管理，以及总体成本降低。然而，这种设计中的曲线形状互连和非曼哈顿布线给设计任务如阻抗提取带来了新的挑战。

在图像传感器和MEMS设计中，广泛的多边形布局设计用于实现高图像识别能力。然而，这些广泛的多边形和复杂的结构在MEMS设计中引入了显著的阻抗提取挑战。

为了准确地进行阻抗提取，需要将几何形状划分为更小的片段，以便进行详细的分析和准确估计寄生电阻。这个过程称为破碎，将复杂的几何形状分解成更小的部分。提取过程捕捉了各个组件和互连的复杂性和细节，从而更精确地确定寄生电阻。

随着设计复杂性的增加、特征尺寸的激进缩小以及需要通过先进破碎技术进行特殊处理的非标准几何形状的存在，寄生电阻提取面临着重大挑战。

为了确保准确的阻抗提取，应考虑集成新型破碎技术的自动化工具，这些技术可以适应非曼哈顿路径。