随着2nm节点的临近，多重曝光技术成为了制造过程中的关键。本文探讨了EUV和DUV在20nm间距下的可行性，并深入分析了自对准双曝光（SADP）在2nm节点中的应用。

首先，文章指出EUV和DUV在20nm间距下都可以实现类似的特征尺寸和分辨率，因此选择哪种技术对性能和效率的影响不大。

然而，由于分辨率限制，即使是EUV光刻也需要采用双曝光技术。文章进一步解释了自对准双曝光（SADP）的工作原理，以及如何通过使用LELE-SADP技术来提高特征密度。

此外，文章还讨论了在2nm节点之后的技术发展，如背面供电和自对准四重曝光（SAQP）与自对准六重曝光（SASP）的应用。

通过深入分析多重曝光技术，本文为半导体行业在2nm节点及以后的制造挑战提供了宝贵的见解。