10/20/2024, 12:13 PM UTC
芯片制造，新拐点？Semiconductor Manufacturing at a New Inflection Point?
<p>➀ 半镶嵌技术，当与可图案化金属（如 Ru）结合使用时，有望实现 RC、面积、成本和功率效率，以提供互连缩放路径。</p><p>➁ 1997年，逻辑和内存芯片后端（BEOL）中引入了 CU 双大马士革（CU DUALdamascene）集成方案，标志着半导体历史上的一个转折点，从减法铝图案化转向湿法工艺。</p><p>➂ imec 于 2020 年提出了一种名为“半镶嵌”的新金属化概念，它从第一个局部互连金属层的直接图案化开始，然后以单镶嵌方式对通孔进行图案化。</p><p>➀ The semi-damascene technique, when combined with patternable metals like Ru, promises to achieve RC, area, cost, and power efficiency for interconnect scaling paths.</p><p>➁ The introduction of CU DUALdamascene in BEOL in 1997 marked a turning point in semiconductor history, shifting from subtractive Al patterning to wet processes like copper electroplating and CMP.</p><p>➂ Imec proposed a new metallization concept called 'semi-damascene' in 2020, which starts with direct patterning of the first local interconnect metal layer and then uses a single inlaid technique for the vias.</p>
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