新兴非易失性存储技术：ReRAM在2024年行业调查中崭露头角
04/30/2025, 06:00 PM UTC
新兴非易失性存储技术：ReRAM在2024年行业调查中崭露头角Emerging NVM Technologies: ReRAM Gains Visibility in 2024 Industry Survey
➀ 2024年针对120余名半导体从业者的调查显示，81%的受访者正在评估或已使用非易失性存储器（NVM）IP，表明行业参与度极高；
➁ ReRAM以60%的认知度成为嵌入式闪存的主要替代方案，其低功耗与高温可靠性满足汽车、物联网等场景需求；
➂ 台积电等厂商将ReRAM纳入IP组合，加速技术落地，AI/ML、汽车电子等领域的严苛要求正推动存储技术革新。
➀ A 2024 survey of 120+ semiconductor professionals reveals 81% are actively evaluating or using NVM IP, signaling strong industry engagement;
➁ ReRAM emerges as a leading alternative to embedded flash, with 60% recognition among respondents, driven by demand for power efficiency and high-temperature reliability;
➂ Automotive, IoT, and AI/ML applications are pushing memory innovation, with TSMC's ReRAM IP integration accelerating market adoption.
2024年一项针对120余名半导体从业者的匿名调查揭示了非易失性存储器（NVM）技术的发展趋势。调查覆盖北美、欧洲和亚洲的工程师、架构师与决策者，81%的受访者表示正在评估或已使用NVM IP，反映出行业对存储技术创新的迫切需求。
在新型NVM技术中，电阻式随机存取存储器（ReRAM）以超过60%的认知度领先，略高于磁阻随机存取存储器（MRAM）。尽管嵌入式闪存仍占主导地位，但ReRAM因其低功耗、高密度特性，在物联网、汽车电子等高温严苛环境中展现出替代潜力。调查显示，42%的受访者将可靠性列为首要考量，37%关注高温性能，这与汽车电子（需耐受-40°C至150°C环境）和工业物联网设备的实际需求高度契合。
当前NVM方案的痛点集中在耐久性限制（如嵌入式闪存约10^5次擦写周期）、高功耗（影响物联网设备续航）及复杂集成流程。ReRAM虽具备10^12次擦写潜力且制程兼容逻辑芯片，但仍需突破规模化生产、生态系统成熟度与总拥有成本等障碍。值得注意的是，台积电等主要代工厂已将ReRAM IP纳入标准方案，这为技术商业化注入强心剂。
从应用场景看，35%的受访者聚焦物联网（要求μW级功耗与毫米级芯片面积），28%深耕汽车电子（需通过AEC-Q100认证），另有18%涉及AI/ML加速（依赖高速数据存取）。这些领域的技术边界正推动设计团队重新评估存储架构，例如存内计算（PIM）与ReRAM的结合可能突破冯·诺依曼瓶颈。调查还指出，工程师主要通过厂商技术文档（45%）、行业会议（32%）与同行推荐（23%）获取信息，强调技术决策的深度专业性。
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