斯坦福大学在IEDM 2024上展示首个60 GHz GaN IMPATT振荡器
01/08/2025, 06:00 PM UTC
斯坦福在IEDM 2024上展示首个60 GHz GaN IMPATT振荡器Stanford showcases the first 60 GHz GaN IMPATT Oscillator at IEDM 2024
➀ 斯坦福大学在IEDM 2024上展示了首个60 GHz GaN IMPATT振荡器；➁ 该振荡器实现了60 GHz的振荡，输出功率为12.7 dBm；➂ 斯坦福团队在边缘终止、衬底减薄和器件封装方面引入了关键工艺创新。➀ Stanford University showcases the first 60 GHz GaN IMPATT oscillator at IEDM 2024; ➁ The oscillator achieves 60 GHz oscillation with an output power of 12.7 dBm; ➂ Key process innovations in edge termination, substrate thinning, and device packaging are introduced by the Stanford team.斯坦福大学在2024年IEDM大会上展示了首个60 GHz GaN IMPATT振荡器，这是一个重要的技术突破。
该振荡器实现了60 GHz的振荡，输出功率为12.7 dBm，这是GaN技术在毫米波应用中的一次重大进展。
斯坦福团队在边缘终止、衬底减薄和器件封装方面进行了关键工艺创新，这些创新对于提高IMPATT二极管的高频性能至关重要。
该团队与QuinStar Technologies Inc.合作，开发了一种大尺寸GaN衬底减薄工艺，并将二极管与IIa型钻石散热器集成封装，以实现高效的散热。
这种封装设计使得二极管能够承受高达2.65 MW/cm²的高输入功率密度，而不至于烧毁。
该振荡器在QuinStar Inc.的工业测试台上进行了测试，结果表明，在17.1 kA/cm²的偏置电流下，二极管能够产生60.8 GHz的振荡，输出功率为12.7 dBm。
这项技术展示了GaN IMPATT二极管在毫米波应用中的巨大潜力，并为未来高频率射频器件的发展铺平了道路。
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