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  • 深入探索高带宽内存(HBM)技术的未来发展

    tweaktown

    06/30/2024, 11:52 PM UTC

    1、SK海力士计划未来三年内投资746亿美元加强其内存业务。2、SK集团将额外投资580亿美元于AI和半导体领域。3、这些投资旨在提升在AI市场的竞争力,包括高带宽内存芯片和AI数据中心。

    高带宽内存(HBM)技术是当前半导体行业的一个热点,尤其在AI和高性能计算领域扮演着至关重要的角色。HBM通过垂直堆叠多个DRAM芯片并与硅中介层(Silicon Interposer)结合,实现了比传统DRAM更高的带宽和更低的功耗。SK海力士和三星等公司已经在HBM技术上取得了显著进展,例如SK海力士的HBM4和HBM4E产品预计将在未来几年内推出。这些新技术不仅将进一步提升内存带宽,还可能引入新的架构和材料,如使用更先进的封装技术和新型半导体材料,以实现更高的性能和更低的成本。此外,HBM技术的进一步发展还将推动AI数据中心和服务器的设计革新,为个性化AI助手等应用提供更强大的支持。随着HBM技术的不断进步,预计将在未来的高性能计算和AI应用中发挥更加关键的作用。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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