深入探索3D NAND闪存技术的发展
07/03/2024, 02:33 AM UTC
2027年预计推出1000层存储芯片的SSD：超快20TB NVMe硬盘仅需250美元SSDs with 1000-layer memory chips expected in 2027: ultra-fast 20TB NVMe drives for $250
1、KIOXIA计划开发具有20TB容量的1000层闪存SSD。2、这些下一代SSD预计售价低至250美元。3、该技术旨在实现每平方毫米100Gb的比特密度。1. KIOXIA plans to develop 1000-layer flash memory SSDs with 20TB capacity. 2. These future-gen SSDs are expected to cost as low as $250. 3. The technology aims to achieve a bit density of 100Gb per square millimeter.3D NAND闪存技术是现代存储设备的核心，通过垂直堆叠多层存储单元来实现高密度存储。这种技术的发展历程可以追溯到2007年，当时东芝首次提出了3D NAND的概念。随着技术的进步，3D NAND的层数从最初的32层增长到现在的超过200层，预计未来将达到1000层。这种垂直堆叠技术不仅提高了存储密度，还降低了生产成本，使得大容量、低价格的SSD成为可能。此外，3D NAND技术的进步还带来了更快的读写速度和更高的耐用性，这对于数据中心和高端消费电子产品尤为重要。随着技术的不断发展，3D NAND闪存将继续推动存储行业的创新和变革。---
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