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  • azonano

    06/11/2025, 04:48 PM UTC

    ➀ 研究人员使用12纳米级X射线光束,以非破坏性方式分析电子器件中的超薄纳米片,揭示了其形变机制;

    ➁ 研究发现两种相互竞争的形变机制:长程晶格失配效应和纳米片边缘短程层叠效应;

    ➂ 这些发现有助于优化未来纳米结构(如全环绕栅极晶体管),提升器件性能预测能力,推动微型化电子设备发展。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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