02/06/2025, 10:16 AM UTC
4.9 x 6 x 1.65mm 封装的隔离 GaN 管门驱动器Isolated GaN gate driver in SO-8
➀ 罗姆生产的 BM6GD11BFJ-LB GaN HEMT 单通道门驱动器由 Rutronik 分销，具有高达 2,500Vrms 的隔离电压和 60ns 的最小输入输出延迟；
➁ 驱动器在 -40 到 +125°C 的温度范围内工作，输入侧需要 5V 电源，消耗在 250μA 到 6mA 之间；
➂ 输入逻辑阈值分别为高电平 2.0V 和低电平 0.8V，并提供输入电阻以设置输出侧 GaN 晶体管的关闭状态。
➀ Rutronik 分销的 GaN HEMT 单通道门驱动器 BM6GD11BFJ-LB 由 Rohm 生产，具有高达 2,500Vrms 的隔离电压和 60ns 的最小输入输出延迟；
➁ 驱动器在 -40 到 +125°C 的温度范围内工作，输入侧需要 5V 电源，消耗在 250μA 到 6mA 之间；
➂ 输入逻辑阈值分别为高电平 2.0V 和低电平 0.8V，并提供输入电阻以设置输出侧 GaN 晶体管的关闭状态。
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