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  • idw-online

    02/05/2025, 01:44 PM UTC

    ➀ 美因茨约翰内斯古腾堡大学(JGU)与安泰奥斯公司共同在存储技术领域取得了突破,开发了SOT-MRAM;

    ➁ 该技术为数据处理和存储提供了高效强大的解决方案,有望取代计算机架构中的缓存存储;

    ➂ 与现有存储技术相比,该创新将能耗降低了50%以上,效率提高了30%,并将磁转换所需的输入电流降低了20%。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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