AI芯片功耗之巅:15360W的散热革命
06/17/2025, 09:47 AM UTC
未来AI处理器功耗或达15360W:浸没式与嵌入冷却技术成关键Future AI processors said to consume up to 15,360W — massive power draw will demand exotic immersion and embedded cooling tech
➀ 韩国KAIST研究所预测,AI GPU功耗将在2035年攀升至15360W,主要因计算单元和HBM堆栈数量激增;
➁ 英伟达Blackwell Ultra(1400W)到Feynman Ultra(6000W)将推动浸没式冷却技术普及,后费曼架构需嵌入式冷却;
➂ 散热创新包括热传导通道(TTL)、流体硅穿孔(F-TSV)和双面中介层,以实现垂直堆叠散热与实时监控。
➀ AI GPU power consumption is projected to reach up to 15,360W by 2035, driven by higher compute and HBM integration;
➁ Advanced cooling methods like immersion cooling (for 4,400W-9,000W GPUs) and embedded cooling structures (for 15,360W) will be critical;
➂ Innovations include thermal transmission lines, fluidic TSVs, and double-sided interposers to manage extreme thermal loads.
随着AI算力需求的爆炸式增长,GPU的功耗正以惊人的速度飙升。从英伟达Blackwell Ultra的1400W,到预计2027年Rubin Ultra的3600W,再到2032年突破9000W的“后费曼”架构,散热技术正面临前所未有的挑战。
据KAIST研究团队预测,到2035年,单颗AI GPU的功耗可能高达15360W——这相当于同时运行150台游戏电脑!其中仅HBM6内存堆栈就将贡献2000W的惊人热量。为此,散热方案将经历三级进化:
• 2025-2027年:直接到芯片(D2C)液冷
• 2028-2031年:全浸没式散热
• 2032年后:嵌入式计算芯片/存储器件的流体通道散热更革命性的设计已在实验室中孕育:
🔧 热传输线(TTL)横向导出热点热量
🔧 流体硅穿孔(F-TSV)让冷却液垂直穿透HBM堆栈
🔧 双面中介层实现3D堆叠双向散热
这些黑科技将直接整合至芯片基板,实时监控温度变化,宛如给GPU装上了“智能温控神经系统”。可以预见,未来的数据中心将长这样:数万瓦的AI算力怪兽浸泡在特制冷却液中,芯片内部流淌着纳米级冷却通道——这不是科幻,而是半导体巨头们正在构建的散热乌托邦。毕竟,当电费账单变成天文数字时,能效就是科技文明的底线。
---
本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。