AMD Ryzen 7 9800X3D 使用厚层虚硅：93% 占用CCD堆栈，无性能提升但至关重要
12/22/2024, 04:19 AM UTC
AMD Ryzen 7 9800X3D 使用厚层虚硅：93% 占用CCD堆栈，无性能提升但至关重要AMD Ryzen 7 9800X3D uses thick dummy silicon: uses 93% of CCD stack, no perf boost, but crucial
➀ AMD的Ryzen 7 9800X3D处理器使用厚层虚硅，占用了93%的CCD堆栈，以提供稳定性；➁ 3D芯片组现在位于CCD下方；➂ 厚硅层为处理器提供了结构支持和保护。➀ AMD's Ryzen 7 9800X3D features thick dummy silicon layers using 93% of the CCD stack for stability; ➁ The 3D chiplet is now positioned underneath the CCD; ➂ The thick silicon layer provides structural support and protection for the processor.AMD的Ryzen 7 9800X3D处理器采用了厚层非功能性硅，这些硅层占据了CCD堆栈的93%，虽然它们没有提供性能上的提升，但对于稳定性至关重要。
与之前的x3D处理器不同，新的Ryzen 7 9800X3D将3D芯片组放 置在CCD下方，而不是之前的位置。这种厚硅层不仅提供了结构支持，还保护了处理器。
在Tom Wassisk对9800X3D的拆解分析中，他发现CCD上的大部分硅都是无用的。CCD和SRAM的硅层厚度分别为7.2微米和6微米，而整个晶圆堆叠和互连等部分的总厚度仅为40-45微米。
这些厚层硅没有功能性部件，它们粘附在堆栈上，以增强结构支持，并为宝贵的9800X3D处理器提供更多保护。
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