三星副董事长与美国英伟达CEO会面：其8层HBM3E内存可能终于准备就绪
02/18/2025, 07:01 PM UTC
三星副董事长与美国英伟达CEO会面：其8层HBM3E内存可能终于准备就绪Samsung Vice Chairman meets with NVIDIA CEO in the US: its 8-Hi HBM3E could finally be ready
➀ 三星副董事长全英焕与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论为AI GPU供应8层HBM3E内存。
➁ 尽管有延误，三星计划在2025年初获得认证，而SK海力士已经获得了大部分英伟达的HBM3E订单。
➂ 三星原本预计将在2024年下半年实现HBM3E内存的质量认证，但最终未能实现。
➀ Samsung Vice Chairman Jeon Young-hyun met with NVIDIA CEO Jensen Huang to discuss supplying 8-Hi HBM3E memory for AI GPUs.
➁ Despite delays, Samsung aims for certification by early 2025, while SK hynix has taken most of NVIDIA's requests.
➂ Samsung was expecting to have its HBM3E memory quality certification achieved by 2H 2024, but it missed that by a long shot.
三星电子副董事长全英焕近日在美国与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论为英伟达的AI GPU供应新的8层HBM3E内存。尽管项目进度有所延误，但三星仍计划在2025年初完成认证工作。
在此次会面中，全英焕还讨论了HBM3E 8层产品的改进情况以及与质量认证相关的积极信号。三星电子方面表示，他们无法确认与客户相关的任何事项。
此前，三星曾预计在2024年下半年实现HBM3E内存的质量认证，但由于各种原因，未能按时完成。在此期间，韩国内存竞争对手SK海力士获得了英伟达大部分的HBM3E订单。
为了弥补进度上的落后，三星一直在努力改进和优化其设计。在2025年1月底的一次电话会议中，三星官员表示，他们正在按计划准备改进的HBM3E产品，并计划从第一季度末开始为一些客户量产改进产品，而改进产品的供应量将在第二季度开始真正增加。
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