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  • 08/23/2024, 07:34 AM UTC

    1. Kioxia在未来内存和存储(FMS)活动上展示了采用QLC技术的2Tbit NAND闪存,实现了迄今为止最高的容量。2. 该公司还讨论了其下一代3D NAND技术的开发路线图,重点是第9代性能的改进和第10代内存密度的增加。3. Kioxia在FMS的展览包括一个大型的展位,展示了各种模型和展示,突出了其3D NAND技术的进步和2Tbit NAND闪存的推出。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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