JEDEC发布HBM4内存标准，带宽和效率显著提升
04/17/2025, 11:23 AM UTC
JEDEC正式发布HBM4内存标准，带宽和效率大幅提升JEDEC finalizes HBM4 memory standard with major bandwidth and efficiency upgrades
➀ JEDEC已经发布了JESD238下的HBM4官方规范，这是一种旨在满足人工智能、高性能计算和数据中心日益增长需求的新内存标准。
➁ HBM4标准在带宽和效率方面相较于前一代HBM3有显著提升，支持通过2048位接口达到高达8 Gb/s的传输速度。
➂ 新标准引入了功率效率改进，并与现有的HBM3控制器保持兼容，从而允许更灵活的系统设计。
➀ JEDEC has published the official HBM4 specification under JESD238, a new memory standard designed to meet the growing demands of AI, high-performance computing, and data centers.
➁ The HBM4 standard doubles the bandwidth and efficiency over its predecessor, HBM3, with support for transfer speeds of up to 8 Gb/s across a 2048-bit interface.
➂ The new standard introduces power efficiency improvements and maintains compatibility with existing HBM3 controllers, allowing for more flexible system designs.
各位听众，欢迎收听今天的科技播客。今天我们要讨论的主题是JEDEC刚刚发布的HBM4内存标准。这项新的内存标准，旨在满足人工智能、高性能计算和数据中心的快速增长需求。
HBM4标准在带宽和效率方面相较于其前代HBM3有了显著的提升。它支持通过2048位接口达到高达8 Gb/s的传输速度，提供了高达2 TB/s的总带宽。这意味着，相较于HBM3，HBM4在数据传输速度上有了大幅提升。
此外，HBM4还引入了多项改进，包括对现有HBM3控制器的兼容性，这使得单个控制器可以与两种内存标准一起工作，从而为系统设计提供了更大的灵活性。
在功耗方面，HBM4标准引入了对多种供应商特定电压级别的支持，包括VDDQ选项为0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，以及VDDC选项为1.0V或1.05V。这些调整旨在降低功耗，提高能效。
值得一提的是，HBM4还集成了定向刷新管理（DRFM），这有助于增强行冲击缓解，并支持更强的可靠性、可用性和服务性（RAS）功能。
HBM4的容量支持从4层到16层不等的堆叠配置，DRAM芯片密度为24Gb或32Gb，最高可实现64GB的立方体容量，这为处理密集型工作负载提供了更高的内存密度。
HBM4的发展得到了包括三星、美光和SK hynix等主要行业玩家的合作。这些公司预计将在不久的将来开始展示兼容HBM4的产品，其中三星计划于2025年开始生产，以满足人工智能芯片制造商和超大规模数据中心的需求。
随着人工智能模型和高性能计算应用对计算资源的需求不断增长，对具有更高带宽和更大容量的内存的需求也在不断增长。HBM4标准的推出应该能够解决这些需求，为下一代内存技术制定规范，以处理这些工作负载相关的数据吞吐量和处理挑战。
---
本文由大语言模型（LLM）生成，旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展（Beta）。
