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  • 06/18/2025, 04:00 AM UTC

    ➀ 麻省理工学院研究人员开发了一种低成本、可扩展的方法,将高性能氮化镓(GaN)晶体管集成到标准硅CMOS芯片上,提升电子设备的运行速度和能效;

    ➁ 该方法通过铜柱将微型GaN晶体管键合到硅芯片上,减少材料浪费和系统温度,同时提高智能手机等设备的信号强度和电池续航;

    ➂ 该混合技术利用GaN在低温下的卓越性能,有望推动功率放大器、无线通信及未来量子计算应用的革新。

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    本文由大语言模型(LLM)生成,旨在为读者提供半导体新闻内容的知识扩展(Beta)。

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